如何提升闪存芯片厂商的竞争力

电子发烧友网报道（文/莫婷婷）近年来，由于消费级、工业级以及汽车等终端市场的需求变动，影响了闪存行业的供需变化。在技术上，闪存朝着更加先进的工艺迭代，先进的工艺能够带来更具性价比、更高容量的产品，由此提升闪存芯片厂商的竞争力。未来，面对下游市场的变化，闪存产业会出现哪些变化，具备哪些优势的产品会给闪存芯片厂商带来的新的发展机会？

消费级市场需求疲软，服务器成为闪存市场增长大头

在全球闪存市场中，当前主要是美光、三星等国际头部厂商引领技术发展，并且占据行业大部分市场份额。集邦咨询资深分析师敖国锋分享了目前各家原厂闪存技术的发展情况，在3D NAND技术方面，厂商中主力制程最为先进的还是美光科技，从去年第三季度开始，美光科技就慢慢转进176 层闪存技术的生产。今年1月美光科技就已批量出货全球首款176层QLC NAND固态硬盘（SSD）。据了解，美光176层QLC NAND在存储密度与优化性能上具有较大优势，适用于各类数据密集型应用。

此外，三星和SK 海力士在今年下半年开始也逐渐生产176 层闪存的产品。不过与美光科技相比，这两家厂商的176层闪存技术主要还是会应用在消费级产品中。铠侠在今年的主要制程还是以112层。在国内方面，目前已有国内厂商的主力制程进入128层闪存技术的产品生产阶段。

集邦咨询资深分析师敖国锋认为，在2023年，将会有更多的厂商推进下一代制程，例如三星、SK海力士慢慢转进200层闪存技术的生产。而美光科技已经在今年第三季度发布了全球首个232层的TLC闪存，美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer对此表示，232层闪存是存储芯片创新的分水岭，因为这证明了3D闪存拥有扩展到200层以上的能力。相对来说，美光科技的进展更为快速，Solidigm和铠侠则会分别进入192层、162层闪存技术的生产。

随着技术的发展和市场的拓展，头部厂商在全球市场中的市场份额不断扩大，集邦咨询数据显示，预计到2024年，原厂闪存产出的市占率排名前四的分别是三星、铠侠/WDC、SK 海力士/Solidigm、美光科技，占比分别为34.2%、27.6%、19.7%、10.6%。

那么，未来是哪些终端市场需求的增长带动原厂出货量的提升呢？

在服务器、智能手机、笔记本三大终端应用中，智能手机、笔记本所在的消费级市场依旧会处于需求疲软的状态，两大终端市场闪存的需求占比从2022年的31.7%、26.3%，分别下降至2023年的29.7%、23.4%。反而是服务器市场，在明年会保持5%左右的增长，支撑着内存芯片市场的增长。不难预测，服务器市场闪存需求量也会不断上升，集邦咨询预计，服务器市场闪存需求占比会从2022年的23%上升至25.7%。

在平均容量方面，单个服务器的平均容量将由2022年的3400GB上升至2023年的4200GB。这也是越来越多原厂更加专注于企业固态硬盘领域的原因。集邦咨询的数据显示，2022年，服务器设备的平均容量增长将达到44.1%，作为对比，PC和智能手机的增长仅为12.9%和13.4%。可见服务器市场发展的速度。

技术迭代、提前布局，国内上下游企业冲击服务器、汽车更高阶市场

尽管笔记本、智能手机等消费电子市场需求下滑，但是在三大终端应用中，依旧是占据一半以上的市场份额，这部分市场是当下国内闪存芯片厂商的主要方向。而服务器，还有汽车会是接下来“进军”的更高阶市场。

当下，国内闪存芯片厂商与国际头部厂商还存在差距，但随着国内企业对先进工艺的研发投入，国内已有原厂在闪存市场取得较大的成绩。兆易创新的闪存芯片主要为NOR Flash、NAND Flash。今年5月30日，兆易创新官方宣布，旗下Flash闪存产品累计出货量已经超过190亿颗。IC Insights的数据显示，2021年，在全球NOR Flash市场份额中，兆易创新排名前三，占据23.2%的市场份额，排名第一、第二的是华邦电子、旺宏。

目前，兆易创新的SPI NOR Flash全部产品线都已过渡到55nm新工艺。值得一提的是，兆易创新是业内第一家将SPI NAND Flash推向世界而且量产的厂商。得益于PC、笔记本、服务器终端市场的增长，兆易创新2021年实现营收85.10亿元，同比增长了89.25%；实现归母净利润23.37亿元，同比增长了165.33%。今年上半年营收47.81 亿元，同比增长31.32%；归母净利润为 15.27 亿元，同比增长94.34%。由此预测，兆易创新今年的业绩有望超过去年，实现一定幅度的增长。

在消费市场需求放缓时，NOR Flash市场的增长离不开智能汽车。兆易创新的车规NOR Flash 业务收入也呈现高速增长，并且导入国际头部 Tier1 客户。

东芯半导体在2021年12月正式在科创板上市。其IPO信息显示，公司计划募资7.5亿元加强闪存业务发展，其中1.7亿元用于车规级闪存产品的研发。若车规级闪存产品打开市场，这将为其带来了新的竞争力，有望在服务器、5G基站等大容量存储、高可靠性的应用领域扩大市场份额。

在工艺方面，2D NAND目前最先进工艺的是14nm，代表厂商是三星、SK海力士等国际厂商。在国内，多家厂商正在尝试从38nm、24nm，再到20nm以下先进工艺迭代。在上市前，东芯半导体的募资计划中，拟用募集资金额中的2.3亿元用于1xnm 闪存产品研发及产业化项目。当下，东芯半导体在19nm工艺上已经取得进展。

消费电子市场之外，在数据中心基础设施建设的加速下，服务器行业高度景气，成为接下来两年内的增长主力。在服务器市场，不得不提到的产业链玩家是浪潮信息。浪潮信息现已成为服务器领域的知名大数据服务商。

闪存作为基础设施建设的重要媒介，浪潮信息存储产品线副总经理李博乐提到，闪存在基础设施建设上面临着性能和使用成本的挑战。在性能上，随着SCM等新兴存储的出现，存储性能的瓶颈逐渐由介质转为软件系统和处理器；同时，在使用成本上，闪存价格需要不断地下降。

为了解决数据基础设施在闪存方面的问题，浪潮信息打造全闪软件栈，并且推出了集中式存储平台、分布式存储平台、备份存储平台、归档存储平台。四大存储平台可以独立或者组合承担一个完整的数据基础设施。结合闪存技术的加持，能为数据基础设施可以提供安全、可靠、经济、高效的价值。

尽管在更高容量、更先进工艺的产品方面，国内厂商不敌国际龙头企业，但国内闪存行业上下游企业在各自擅长的领域不断深耕，在原有经验的积累下，开拓新的市场。未来，新兴领域将拉动闪存产业持续发展，闪存芯片企业迎来更加广阔的成长空间。