武汉国家存储器基地加速推进施工
据通用技术集团消息，经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备，日前武汉国家存储器基地施工生产加速推进，现场300余名工人已经投入到各项工作。
据悉，该项目于4月2日获得复工批复，目前正在进行二次施工及部分高层主体结构施工。此外，现场还设置了隔离观察室，实行专人每日测量体温，进行实名登记，建立“一人一档”健康档案，现场实施全封闭管理、做好现场日常全面消杀工作，确保防疫复工两不误。
武汉国家存储器项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，总投资1600亿元，规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房。预计2020年，整个项目完成，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
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