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技术资料#LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3410R050 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,...
技术资料#LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,...
技术资料#LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
具有集成驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
德州仪器(TI)推出了一种新的集成氮化镓(GaN)功率级产品家族,该家族采用了一种低成本紧凑的四方扁平无引线(OFN)封装,封装尺寸为12毫米x12毫米...
技术资料LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 S...
瑞萨电子推出业界超高性能80V双向升降压和两相降压直流DC/DC控制器
ISL81801双向升降压和ISL81802两相降压控制器,可为48V电信、数据中心及工业应用可靠供电提供所需额外电压裕量。
瑞萨电子推出面向物联网基础设施系统的 第二代多相数字控制器和智能功率级单元模块(SPS)
瑞萨电子移动、基础设施及物联网电源事业部副总裁Andrew Cowell表示:“瑞萨电子为客户打造了业界广泛的数字多相产品系列,是唯一可为1000A+超...
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