技术资料#LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN-电子发烧友网

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，该器件的固有优势包括超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低多达 80%）以及低开关节点振铃（可降低 EMI）。这些优势实现了像图腾柱 PFC 这样的密集和高效的拓扑结构。
*附件：具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 数据表.pdf

LMG341xR150 通过集成一组独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供智能替代方案。集成栅极驱动可在接近零的 V 电压下实现 100 V/ns 的开关~~DS 系列~~振铃、小于 100ns 的电流限制响应可针对意外的击穿事件进行自我保护，过热关断可防止热失控，系统接口信号提供自我监控功能。

特性

TI GaN 工艺通过加速可靠性应用内硬开关配置文件认证
支持高密度电源转换设计
- 优于共源共栅或独立 GaN FET 的系统性能
- 低电感 8 mm × 8 mm QFN 封装，易于设计和布局
- 可调节的驱动强度，用于开关性能和 EMI 控制
- 数字故障状态输出信号
- 只需要 +12 V 的非稳压电源
集成栅极驱动器
- 零共源电感
- 高频设计的传播延迟为 20ns
- 用于补偿阈值变化的微调栅极偏置电压可确保可靠的开关
- 25V/ns 至 100V/ns 可调转换速率
强大的保护
- 无需外部保护元件
- 具有 <100 ns 响应的过流保护
- 大于 150V/ns 的转换速率抗扰度
- 瞬态过压抗扰度
- 过热保护
- 所有电源轨上的欠压锁定（UVLO）保护
设备选项：
- LMG3410R150 ：锁存过流保护
- LMG3411R150 ：逐周期过流保护

参数

方框图

1. 基本信息

?型号?：LMG341xR150
?电压等级?：600V
?导通电阻?：150mΩ
?功能?：集成驱动器、保护功能
?制造商?：Texas Instruments

2. 关键特性

?集成驱动器?：内置低电感驱动器，支持高达100V/ns的开关速度，减少开关损耗和EMI。
?保护功能?：
- 过流保护（OCP）：快速响应（<100ns），可选循环周期过流保护（LMG3411R150）或锁定过流保护（LMG3410R150）。
- 过温保护（OTP）：防止热失控，具有UVLO（欠压锁定）保护功能。
- 瞬态过电压免疫：增强系统可靠性。
?高效率?：零反向恢复电荷，降低开关损耗。
?封装?：8mm × 8mm QFN封装，便于设计和布局。