氮化镓

氮化镓充电器和普通充电器的区别

氮化镓充电器和普通充电器是两种不同的充电设备，它们在充电速度、充电效率、体积大小、重量、安全性能等方面存在一些差异。下面我们将详细介绍氮化镓充电器和普通...

2023-11-24 标签：充电器驱动电路氮化镓 2.8万 0

什么是氮化镓？氮化镓何以占据C位？

GaN在成本控制方面显示出了更强的潜力。目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，来替代昂贵的SiC衬底。有分析预测，到2019年Ga...

2019-05-14 标签：半导体氮化镓5G 2.8万 0

氮化镓和砷化镓的区别 氮化镓和砷化镓优缺点分析

　氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。

2023-02-20 标签：电磁干扰氮化镓砷化镓 2.8万 0

iqoo是什么充电器？拆解iQOO7的120W适配器

IQOO这款120W适配器整体采用一体成型制造，采用破坏性拆解，不具备复原性和可维修性，电源内部采用灌胶方式将导热硅胶材料灌封成一个整体，提高适配器防水...

2021-05-14 标签：充电器适配器氮化镓 2.5万 0

小米55w氮化镓充电器怎么样？小米氮化镓充电器拆解评测氮化镓芯片

小米55W氮化镓适配器的电源内部采用灌胶方式将导热硅胶材料灌封成一个整体，提高适配器整体防水性、导热性。并且元器件没有位移空间，起到提高耐候性，增强适配...

2021-05-13 标签：适配器氮化镓小米 2.3万 0

一文看懂氮化镓：纳微最全介绍，带你极速认识第三代半导体

禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。

2021-07-20 标签：半导体氮化镓纳微半导体 2.3万 0

基于GaN的开关器件驱动是关键要素

输入电压兼容TTL电平，并且最大输入电压可以高达14V，而不考虑VDD轨电压。同时，在高侧/低侧的应用中，低传播延迟和轨到轨的时钟倾斜对效率也是至关重要...

2018-10-19 标签：功率器件氮化镓GaN 2.2万 0

氮化镓充电器的优势 氮化镓充电器和普通充电器区别

与普通半导体的硅材料相比，氮化镓的带隙更宽且导热好，能够匹配体积更小的变压器和大功率电感，所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势。

2023-02-05 标签：充电器功率电感氮化镓 2.2万 0

一文看懂氮化镓和碳化硅在混合动力汽车中的作用

欧盟制定了一个雄心勃勃的目标，即到2050年将其总体温室气体排放量降低至少80％。要实现该目标，汽车行业的贡献将非常重要。美国企业平均燃油经济性（CAF...

2018-03-25 标签：混合动力汽车氮化镓碳化硅 2.1万 0

一文详细了解氮化镓(GaN)技术

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱...

2022-03-17 标签：半导体氮化镓GaN 1.7万 0

小米33W氮化镓充电器详细内部拆解案例

接下来就直接开始拆解。 将顶面外壳拆开，PCBA模块和外壳之间的空隙注胶填充加固。 将模块取出，充电器采用接触式通电设计，插脚和金属弹片压接。 使用游标...

2021-03-17 标签：充电器氮化镓小米 1.7万 0

第一、二、三代半导体什么区别？

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

2023-04-04 标签：新能源汽车MOSFET摩尔定律 1.7万 0

5G行情下氮化镓（GaN）还存在哪些缺点？是下一个风口？

由于2 月13 日小米在新品发表会中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化镓(GaN) 作为原料的充电器，一时间原本GaN 在射频领域热烧的话题，快...

2020-04-14 标签：氮化镓GaN功率半导体 1.7万 1

氮化镓充电宝和普通充电宝区别

氮化镓充电宝和普通充电宝是两种不同类型的便携式电池充电设备。它们之间的主要区别在于材料和性能，对比这两种充电宝可以帮助用户选择适合自己需求的产品。 首先...

2024-01-09 标签：锂离子电池氮化镓充电设备 1.5万 0

氮化镓外延片工艺流程介绍 外延片与晶圆的区别

氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。

2023-02-20 标签：集成电路晶体管氮化镓 1.5万 0