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宽禁带半导体

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碳化硅功率器件的电气性能优势

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浅谈英飞凌的碳化硅SiC战略

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2023-11-27 标签：英飞凌 SiC GaN 585 0

关于对碳化硅误解的描述

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2023-09-04 标签：半导体材料氮化镓 GaN 1306 0

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什么是第三代半导体及宽禁带半导体立即下载

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?无需焊接或探针，即可轻松准确地测量宽禁带功率半导体裸片的动态特性 ?是德科技夹具可在不损坏裸片的情况下实现快速、重复测试 ?寄生功率回路电感小于10n...

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