宽禁带半导体材料具有热导率高、击穿电场高等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景
2011-04-19 09:23:56
993 半导体供应商意法半导体，简称ST宣布，全球首款未使用任何接触式探针完成裸片全部测试的半导体晶圆研制成功。
2011-12-31 09:45:371546 地，2020 年业界普遍认为 5G 会实现大规模商用，热点技术与应用推动下，国内半导体材料需求有望进一步增长。宽禁带半导体材料测试1 典型应用一. 功率双极性晶体管BJT 特性表征2 典型应用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。半导体材料电阻率测试方法有很多种，其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高以及对样品形状
2021-01-13 07:20:44
半导体芯片焊接方法芯片焊接(粘贴)方法及机理 芯片的焊接是指半导体芯片与载体（封装壳体或基片）形成牢固的、传导性或绝缘性连接的方法。焊接层除了为器件提供机械连接
2010-02-26 08:57:57
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2020-10-30 08:37:36
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
的IV/CV测量 适用于各种器件类型可靠性测量。 可通过GPIB连接，实现半自动探针台与矩阵开关、IV/CV测试仪器的动态交互控制，从而实现手动或自动片上测试。 技术指标 支持仪器列表
2020-07-01 09:59:09
三极管具有什么特性？什么是宽禁带半导体？
2021-06-08 07:09:36
是最流行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或
2021-07-23 08:11:27
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带技术呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。一·宽禁带材料介绍宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
如何实现基于STM32的半导体制冷片(TEC)温度控制系统设计？
2021-12-23 06:07:59
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器，详细说明设计步骤并对放大器进行了测试，结果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz内实现功率15W以上，附加效率超过67％的输出。
2021-04-06 06:56:41
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
德州仪器 （TI） 宣佈推出最新裸片 （bare die） 半导体封装选项。TI 裸片计画使客户不仅能订购最少10片数量的元件满足最初塬型设计需要，而且还能订购更大数量的完整晶片托盘 （wa
2012-03-28 09:18:535662 12月11日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审会包含《碳化硅单晶》等四项团体标准送审稿审定及《碳化硅混合模块产品检测方法》等四项团体标准草案讨论两部分内容。
2017-12-13 09:05:514262 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景，而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是，材料结晶质量差和电学性能低，是限制
2018-07-26 09:09:00960 
近日，广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立，该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导，易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。
2018-06-11 01:46:0010777 6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，填补我国高端半导体器件的产业空白。
2018-06-25 16:54:0011639 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视，其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-06 11:55:008310 第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被业界一直看好。
2018-10-10 16:57:4037731 近日，2018中国宽禁带功率半导体及应用产业发展峰会在济南召开。会上，国家主管部门领导与技术专家、金融投资机构、知名企业负责人等共同研讨宽禁带功率半导体产业工艺和产业链建设，为技术协同以及产业、资本的对接提供了良好的交流互动平台。
2018-12-10 14:24:253566 现代电子技术偏爱高压，转向宽禁带半导体的高压系统，是因为：首先，高压意味着低电流，这也意味着系统所用的铜总量会减少，结果会直接影响到系统成本的降低；其次，宽禁带技术(通过高压实现)的阻性损耗
2018-12-13 16:58:305507 如典型的宽禁带SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可显著降低运行成本和整体系统尺寸。典型的宽禁带半导体特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094497 5月16日上午，济南宽禁带半导体产业小镇起步区项目开工活动在济南槐荫经济开发区举行。宽禁带半导体产业小镇位于济南槐荫经济开发区的，紧邻西客站片区和济南国际医学中心，是济南实施北跨发展和新旧动能转换
2019-05-17 17:18:523971 据了解，Norstel将被完全整合到意法半导体的全球研发和制造业务中，继续发展150mm碳化硅裸片和外延片生产业务研发200mm晶圆以及更广泛的宽禁带材料。
2019-12-03 15:39:146633 半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58:591637 
资料显示，英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动IC设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带
2020-07-06 08:54:551025 宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美半导体
2020-10-10 10:35:223708 
基于新兴GaN和SiC宽禁带技术的新型半导体产品，有望实现更快的开关速度，更宽的温度范围，更好的功率效率，以及其他更多增强功能。
2020-10-23 11:03:261046 第三代宽禁带半导体器件 GaN 和 SiC 的出现，推动着功率电子行业发生颠覆式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗，又能处理超高速 dv/dt 转换，且支持超快速开关切换频率，带来的测试挑战也成了
2020-10-30 03:52:11677 Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战，共同促进宽禁带半导体行业的发展。
2020-12-21 15:48:571002 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场，也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12:0024 的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56:002346 理工大学等纯研究机构。 几年来，这些单位的规划总投资已经超过300亿元，总产能超过180万片/年。专家预计，2022年，此类产品成本逐步下降之后，国内产品有望实现部分国产替代。 宽禁带（WBG）半导体包括碳化硅还有氮化镓（GaN），其启蒙阶段的“顶流
2021-06-08 15:29:091685 材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，源表SMU 在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，吉时利源表SMU在许多学科工程师和科学家中享有盛誉，以其优异的性能为当代材料科学研究提供多种测试方案，今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。
2021-08-20 11:17:47518 作为2021年技术热词，宽禁带总会在各大技术热文中被提起，我们在以往的文章中也笑称，宽禁带半导体是电动汽车的“宠儿”，但也有些朋友会问我们，宽禁带半导体为什么总是要和汽车一起提起呢？ 说到这里，我们
2021-08-26 15:20:282636 泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
2021-11-08 17:20:313986 
大会同期举办了面向宽禁带半导体领域的“宽禁带半导体助力碳中和发展峰会”。峰会以“创新技术应用，推动后摩尔时代发展”为主题，邀请了英诺赛科科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、苏州晶湛半导体
2021-12-23 14:06:342369 
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。
2022-02-21 16:47:15953 对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段，由于每部分的物态形式、设备控制都不一样，要想做好这个行业的MES软件，就必须要理解每一段的工艺特性、管控重点。
2022-07-05 12:44:533522 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161371 金秋10月，Bodo's宽禁带半导体论坛惊艳亮相深圳ESSHOW 2021年，特斯拉创纪录出货量助碳化硅达到了10亿美元市场规模；比亚迪“汉”和现代Ioniq-5也都因搭载高性能碳化硅模块受益于快速
2022-07-29 15:49:29921 
宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。
2022-08-02 17:22:121207 对电子设备的需求激增正在推动半导体行业多个领域的增长。制造商通过使用非传统产品和应用程序添加差异化服务来寻求竞争优势。这一趋势的受益者是宽带隙 （WBG） 半导体，由于一系列应用程序供应商的兴趣激增，它经历了更新。
2022-08-05 14:39:171800 追求更高效的电子产品以功率器件为中心，而半导体材料则处于研发活动的前沿。硅的低成本和广泛的可用性使其在几年前超越锗成为主要的功率半导体材料。然而，今天，硅正在将其在功率器件中的主导地位让给两种更高
2022-08-08 10:16:491316 
。目前，从市场领域来看，宽禁带半导体材料已于快充、新能源汽车、光伏、风电、高铁等多领域实现应用。其中，氮化镓主要面向PD电源类居多，而碳化硅主要应用于新能源汽车领域。 但从使用情况来看，相比于其他材料，宽禁带半导体
2022-10-28 11:04:341088 
碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
2022-11-29 09:10:391333 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科将带来《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》直播会议!欢迎企业、工程师积极报名! 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料，它们具有
2022-12-09 14:29:421190 
宽禁带半导体，指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大，决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。
2022-12-19 17:59:032845 宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大，对应电子跃迁导带能量越大，从而材料能够承受更高的温度和电压。
2023-02-02 15:13:588995 半导体，通常指硅基的半导体材料，这类材料可以通过掺杂产生富电子及富空穴的区域（自行修读半导体物理），而在外部电场的影响下，能使材料表现出导通电流和非导通电流的状态，从而实现逻辑功能或0/1控制。
2023-02-02 15:22:593199 
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈，受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59:482962 
作者?| 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体，它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点
2023-02-27 15:19:2912 ）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46:2210664 
晶圆测试的方式主要是通过测试机和探针台的联动，在测试过程中，测试机台并不能直接对待测晶圆进行量测，而是透过探针卡（Probe Card）中的探针（Probe）与晶圆上的焊垫（Pad）或凸块（Bump）接触而构成电性接触。
2023-05-08 10:36:021756 
！（详情请戳：报名|工业宽禁带半导体开发者论坛）快扫描下方二维码报名活动，并获取详细论坛议程吧！（论坛为英文演讲）新品通用分立功率半导体测试评估平台型号为EVAL_
2022-04-01 10:32:16956 
第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:464760 
光隔离探头主要用于开关电源、逆变器、充电桩、变频器、电机驱动等由功率半导体组成的高压高频电路的测试，尤其是宽禁带半导体器件包括氮化镓、碳化硅器件组成的半/全桥电路的测试。
2023-06-27 17:32:331342 
为代表的宽禁带功率半导体在光伏风能发电、储能、大数据、5G通信、新能源汽车等领域或将迎来前所未有的黄金发展期。如何促进宽禁带半导体在集成电路领域的融合创新？如何提
2023-06-30 10:08:30888 
标准的示波器分析 1 GHz 带宽，便于分析快速切换的信号 带有内置软件的任意函数发生器（适用于双脉冲测试波形） 可实现共模噪声抑制和精确测量的高边和低边探头 自动双脉冲测试 5 系列 B MSO 上的宽禁带双脉冲测试应用程序（可选WBG-DPT）提供精确的双脉冲测量，
2023-07-07 18:08:36791 
宽禁带半导体光电探测技术在科学、工业和医疗领域中发挥着重要作用，提供了高效的光电转换和探测功能，推动了许多现代科技应用的发展。
2023-09-20 17:52:091691 
点击蓝字?关注我们 宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据，宽
2023-10-08 19:15:02573 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:061093 
半导体材料。 宽禁带半导体材料适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件，正在成为固态光源和电力电子、微波射频器件的重要材料，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。 宽
2023-11-03 12:10:021021 
? 点击上方? “?意法半导体中国” ， 关注我们 ???????? 在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。 在整个
2023-12-07 10:45:02621 在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽
2023-12-16 08:30:34873 
近日，全球宽禁带领域的领军企业意法半导体（ST）在深圳和上海两地成功举办了宽禁带研讨会，受到电力和能源领域专业嘉宾的热烈追捧。
2024-03-28 10:32:34735 2024年3月29日，2024上海全球投资促进会在临港新片区召开，其中包括宽禁带半导体产业链投资机遇分论坛。
2024-03-29 16:35:24813 临港新片区管委会和万业企业（600641.SH）下属的凯世通等知名企业联合宣布成立“汽车-宽禁带半导体产业链联盟”，其中，凯世通总经理陈克禄博士作为关键装备企业的代表荣耀见证了这一重要时刻。
2024-04-03 09:23:10612 会上，临港新片区管委会联动万业企业（600641.SH）旗下凯世通等多家行业翘楚，协同成立“汽车—宽禁带半导体产业链联盟”。联盟成立仪式上，凯世通总经理陈克禄博士代表关键装备企业发声。
2024-04-03 15:50:56661 探针卡是晶圆功能验证测试的关键工具，通常是由探针、电子元件、线材与印刷电路板（PCB）组成的一种测试接口，主要对裸die进行测试。探针卡上的探针与芯片上的焊点或者凸起直接接触，导出芯片信号，再配
2024-05-11 08:27:30995 
功率电子学在现代科技领域扮演着举足轻重的角色，尤其是在可再生能源和电动交通领域。为了满足日益增长的高效率、小巧紧凑组件的需求，我们需充分认识并保证宽禁带（WBG）半导体（如碳化硅（SiC）和氮化镓
2024-06-07 14:30:31921 半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。英飞凌提供广泛的宽禁带产品系列和组合，包括硅材料、碳化硅和
2024-06-18 08:14:18446 在全球半导体市场日新月异的今天，荷兰半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布，计划投资高达2亿美元（约合1.84亿欧元），用于研发下一代宽禁带半导体产品，并在其位于汉堡的工厂建立生产基础设施。
2024-06-28 11:12:34767 下一代宽禁带半导体（WBG）的研发和生产，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等高性能材料，进一步巩固其作为全球节能半导体领导者的地位。
2024-06-28 16:56:38905 在全球半导体产业日新月异的今天，芯片制造商Nexperia（安世半导体）再次展现了其前瞻性的战略布局。近日，该公司宣布将投资高达2亿美元，用于在德国汉堡工厂开发下一代宽禁带半导体产品，并扩大其晶圆厂的产能。
2024-06-29 10:03:26718 英飞凌致力于通过其创新的宽禁带（WBG）半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC创新产品，偕同英飞凌智能家居方案，以及电动交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:31614 功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料，它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别： 材料类型：功率半导体通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而宽禁
2024-07-31 09:07:12696 宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现代电子学和光电子学中，半导体材料扮演着至关重要
2024-07-31 09:09:061598 宽禁带半导体作为第三代半导体功率器件，在电源处理器中充当了越来越重要的角色。其具有能量密度高、工作频率高、操作温度高等先天优势，成为各种电源或电源模块的首选。而其中功率半导体上下管双脉冲测试，成为动态参数测试的最经典评估项目。
2024-08-06 17:30:50944 
探针卡（Probe Card）是半导体测试领域不可或缺的关键工具，主要用于晶圆级的电学性能检测。在半导体制造流程中，为了确保每个芯片的质量与性能达标，在封装之前必须对晶圆上的每个裸片进行详细的电学
2024-11-25 10:27:29473 
? 第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体
2024-12-05 09:37:10772 
是德科技（NYSE: KEYS ）开发了一种光隔离差分探头系列，专门用于提高宽禁带 GaN 和 SiC 半导体等快速开关器件的效率和性能测试。新的电压探头将在 2025 年应用电力电子会议（APEC）上展示，是德科技的展位号为 829，同时展示的还有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:53381
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