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功率半导体

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功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。

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功率半导体技术

门极可关断晶闸管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的区别浅析

可控硅（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）都是大功率半导体开关器件，广泛应用于电力控制和电力转换领域。

2024-02-01 标签：可控硅晶闸管 SCR 6.7万 0

可控硅的工作原理可控硅怎么接线

可控硅，也称为硅控整流器（SCR），是一种大功率半导体器件，主要用于交流电路中的相位控制、整流、稳压、无触点开关等应用。

2024-05-29 标签：可控硅 SCR 交流电路 5.5万 0

基于碰撞电离率的平行平面结及晶闸管研究

功率半导体器件设计的基础是平行平面结，结的击穿与体内载流子的碰撞电离密切相关，本次研究的重点结构是晶闸管，而晶闸管的阻断与开启都与体内载流子的运动有关。

2023-11-27 标签：晶闸管击穿电压 MATLAB仿真 5.2万 0

13种常用的功率半导体器件介绍

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电...

2018-12-27 标签：MOS 功率半导体 5.1万 0

IGBT中米勒效应的影响和处理方法

米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高...

2019-02-04 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 4.0万 0

什么是功率半导体？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由结构顶部和底部的栅极组成。东京大学的研究员 Takuya Saraya 在论文中说：“IGBT 的一个主要缺点是其开关频率相对较低，因...

2022-06-15 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 3.3万 0

氧化镓在电子器件应用的现状和潜在发展

氧化镓应用范围从实现可用到可靠的组件，最后再到可插入可持续市场基础设施等各个方面。但Ga2O3还是存在一个重要的直接缺点：它的导热率很低（10-30 W...

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关于功率半导体的性能分析和应用介绍

Nexperia 是世界一流标准产品的首选生产商、供应商，专注于逻辑、分立器件和 MOSFET 市场，拥有恩智浦半导体的设计部门，以及位于英国和德国...

2019-09-02 标签：物联网微处理器功率半导体 1.8万 0

英飞凌IGBT7和EmCon7分析和讨论

为了研究FS设计和性能之间的影响，本文对三种设计的开关曲线展开了分析。图6显示了基于三种不同设计的新的二极管与EC4相比的二极管恢复特性。对二极管来说，...

2019-02-20 标签：英飞凌二极管变频器 1.7万 0

5G行情下氮化镓（GaN）还存在哪些缺点？是下一个风口？

由于2 月13 日小米在新品发表会中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化镓(GaN) 作为原料的充电器，一时间原本GaN 在射频领域热烧的话题，快...

2020-04-14 标签：氮化镓 GaN 功率半导体 1.7万 1

IGBT上下桥关断尖峰不一样是何原因？

IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，在电力电子领域应用广泛。在IGBT的开关过程中，上下桥臂的关断尖峰现象是影响器件性能和可靠性的重要因素。

2024-05-29 标签：IGBT 晶体管功率半导体 1.7万 0

什么是IGBT？功率半导体元器件的特点

　除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。

2021-05-24 标签：MOSFET 元器件双极晶体管 1.6万 0

功率MOSFET的基础知识

我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过...

2022-07-08 标签：二极管 MOSFET 功率半导体 1.4万 0

功率半导体在三电平NPC和TNPC拓扑结构中的控制和保护

三电平拓扑结构具有高效率和低谐波失真的特点，被广泛应用在UPS和太阳能等领域。最常见的三电平拓扑结构有NPC和TNPC，如图1所示。

2023-11-09 标签：变频器 IGBT 功率半导体 1.3万 0

IGBT主要参数与应用特点

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种双极性功率半导体器件，由BJT（双极型三极管）和MOS管复合而成，兼...

2023-02-26 标签：MOS管 IGBT 功率半导体 1.2万 0

IGBT模块的引脚说明

IGBT模块是一种常用的功率半导体器件，广泛应用于各种电力电子系统中。

2024-02-26 标签：功率半导体 IGBT模块 1.2万 0

车载功率半导体概述！汽车级大功率IGBT发展趋势

MOSFET 的优点是较高的开关频率，可以工作在百 kHz 到 MHz 之间；缺点是耐压低，在高电压、大电流应用中损耗非常大，因而限制了其应用。IGBT...

2018-07-26 标签：新能源汽车 IGBT 功率半导体 1.2万 0

浅谈功率半导体的技术与未来产业发展

经过了很长一段时间的发展，功率半导体在相关电源电路中的应用已经不可替代。尤其是在当前太阳能着力发展的时代，功率半导体更是大踏步向前，虽然目前有着氮化镓与...

2013-02-25 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 1.2万 0

一文读懂负温度系数热敏电阻

晶片制程允许较小的容差负温度系数芯片热敏电阻的另一个优点是其较小的电和热容差。这个精度是由特殊技术流程获得的：分离元件之前，晶片的总电阻是由100 °C...

2018-05-07 标签：热敏电阻晶片功率半导体 1.1万 0

Trench MOSFET结构模型分析

本文基于仿真和实验方法，开展了 100VN 沟槽 MOSFET 的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈值电压...

2022-10-08 标签：MOSFET 功率半导体 1.1万 0

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