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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGFCF30T-D 高压塑料模 GaN HEMT

GaN HEMT
型号： SGFCF30T-D

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型号 SGFCF30T-D
  • 名称 双通道装置（单通道规格）
  • 产地 日本
  • 封装 SMT

--- 产品详情 ---

SGFCF30T-D

型号简介
Sumitomo的SGFCF30T-D GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和宽带宽，并且给你更高的增益。此新产品非常适合使用高达3.8GHz的W-CDMA和LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。该器件的目标应用是微电池的驱动阶段和最终阶段基站收发信台。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型号                    SGFCF30T-D
名称                    双通道装置（单通道规格）
产地                    日本
封装                    SMT


型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：42.5dBm（典型值）@Psat
高效率：60%（典型值）@Psat
功率增益：19.5dB（典型值）@f=2.65GHz
经验证的可靠性


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