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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGC7172-30A C波段 内部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT
型号： SGC7172-30A

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGC7172-30A
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 IK

--- 产品详情 ---

SGC7172-30A

型号简介
Sumitomo的SGC7172-30A是一种高功率GaN HEMT匹配C波段应用，提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGC7172-30A
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    IK


型号参数
高输出功率：Psat=45.15dBm（典型值）
高增益：Gp=12.15dB（典型值）
高效：PAE=45%（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装


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