产品简介
DIODES 的 DMTH8003STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON) ，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH8003STLW
名称 80V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI?1012-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 173 A
PD @TA = +25°C (W) 5.6 W
PD @TC = +25°C (W) 150 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2.5 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124 nC
CISS Typ (pF) 8191 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
用于改进光学检测的可润湿侧面
相关型号
DMTH6010SCT
DMTH6010SK3
DMTH6010SK3Q
DMTH6010SPS
DMTH6012LPSW
DMTH6012LPSWQ
DMTH6015LDVW
DMTH6015LDVWQ
DMTH6015LPDW
DMTH6015LPDWQ
DMTH6016LFDFW
DMTH6016LFDFWQ
DMTH6016LFVW
DMTH6016LFVWQ
DMTH6016LK3
DMTH6016LK3Q
DMTH6016LPD
DMTH6016LPDQ
DMTH6016LPS
DMTH6016LPSQ
DMTH6016LSD
DMTH6016LSDQ
DMTH61M5SPSW
DMTH61M5SPSWQ
DMTH61M8LPS
DMTH61M8LPSQ
DMTH61M8SPS
DMTH61M8SPSQ
DMTH62M8LPS
DMTH62M8SPS
DMTH69M8LFVW
DMTH69M8LFVWQ
DMTH8001STLW
DMTH8001STLWQ
DMTH8003SPS
DMTH8003STLW
DMTH8003STLWQ
DMTH8004LPS
DMTH8008LFG
DMTH8008LFGQ
DMTH8008LPS
DMTH8008LPSQ
DMTH8008SFG
DMTH8008SFGQ
DMTH8008SPS
DMTH8008SPSQ
DMTH8012LK3
DMTH8012LK3Q
DMTH8012LPS
DMTH8012LPSQ
DMTH8012LPSW
DMTH8028LFVW
DMTH8028LFVWQ
DMTH8028LPSW
DMTH8028LPSWQ
DMTH8030LPDW
DMTH8030LPDWQ
DMTH84M1SPS
DMTH84M1SPSQ
DMWS120H100SM4
DTM3A25P20NFDB
