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DMTH6010LPD 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMTH6010LPD

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH6010LPD
  • 名称 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMTH6010LPD 

产品简介
DIODES 的 DMTH6010LPD 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DMTH6010LPD
名称                    双 N 沟道增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                    PowerDI?5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 47.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2090 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
高转换效率
低输入电容
开关速度快


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