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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMTH4001STLW 40V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMTH4001STLW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH4001STLW
  • 名称 40V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®1012-8 (TOLL)

--- 产品详情 ---

DMTH4001STLW 

产品简介
DIODES 的 DMTH4001STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMTH4001STLW
名称                  40V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  POWERDI?1012-8 (TOLL)

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 300 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 300 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 0.85 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 150 nC
CISS Typ (pF) 13185 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度
环境的理想选择
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 –
确保最终应用更加可靠和稳健
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失
用于改进光学检测的可润湿侧面


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