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DMP3028LSD 双 P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP3028LSD

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP3028LSD
  • 名称 双 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SO-8

--- 产品详情 ---

DMP3028LSD

 
产品简介
DIODES 的 DMP3028LSD  这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合电池负载切换。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP3028LSD
名称                  双 P 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  SO-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22 nC
CISS Typ (pF) 1241 pF


主要特征
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
小外形热效率封装可实现
更高密度的最终产品
100% 非钳位感应开关 – 确保更高的可靠性


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