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DMN31D4UFZ N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET N沟道 晶体管
型号： DMN31D4UFZ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN31D4UFZ
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-DFN0606-3

--- 产品详情 ---

DMN31D4UFZ  

产品简介
DIODES 的 DMN31D4UFZ 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选，用于高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN31D4UFZ
名称                N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                 X2-DFN0606-3

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.31 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.3 nC
CISS Typ (pF) 15.4 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低封装外形，最大封装高度0.4mm
0.62mm x 0.62mm封装外形
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大1.0V
ESD保护门

 

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