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DMN2028UVT 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2028UVT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2028UVT
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TSOT26

--- 产品详情 ---

DMN2028UVT

产品简介
DIODES 的 DMN2028UVT 这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2028UVT
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               TSOT26


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 856 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低输入电容
低导通电阻
开关速度快


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