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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXTN2011G 低饱和 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTN2011G

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 是的
  • 合规性 汽车
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 100
  • IC (A) 6
  • ICM (A) 10
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 36

--- 产品详情 ---

ZXTN2011G 

 
产品简介
DIODES 的 ZXTN2011G这款新型低饱和 100V NPN 晶体管采用 SOT223 封装，具有极低的导通状态损耗，非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
符合 AEC 标准  是的
合规性（只有汽车支持 PPAP） 汽车
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 6
ICM (A) 10
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 35
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 36

 

主要特征
bvco>100伏
IC=6A连续集电极电流
ICM=10A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE（sat）<1A时最大<65mV
对于低等效导通电阻，RSAT=36mΩ@Ic=6A
hFE规定高达10A用于高增益保持
无铅饰面；符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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