企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

389 内容数 45w+ 浏览量 141 粉丝

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

型号: IKQ140N120CH7
品牌: Infineon(英飞凌)

--- 产品参数 ---

  • 电压 1200V
  • 电流 140A
  • 封装 TO-247-3, TO-247-4

--- 产品详情 ---

40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7,TO-247封装分立器件,旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。

 

产品特点 :

  • 得益于著名的英飞凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP?技术
  • 高速开关,低EMI辐射
  • 针对目标应用的优化二极管,实现了低Qrr
  • 可选择较低的栅极电阻(低至5Ω),同时保持出色的开关性能。     
  •  Tj(max) =175°C

 

竞争优势:

  • 最高的功率密度,在市场上首次在1200V的分立器件中达到140A的额定值
  • 应用条件下的优化性能
  • 最低的导通损耗 - 最低的VCEsat = 2 V
  • 最低的开关损耗(特别是使用IKZA和IQY,4引脚封装)
  • 恶劣环境下的湿度稳定性,符合Jedec标准
  • 改善EMI性能 

为你推荐

  • 英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2,将工业应用功率密度提升至新高度2025-08-01 17:05

    【2025年8月1日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日推出了采用顶部散热(TSC)Q-DPAK封装的CoolSiCMOSFET1200VG2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度,专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计,例如电动汽车充电
    412浏览量
  • 新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块2025-07-31 17:04

    新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块,采用六单元配置,通过AQG324认证。一个模块采用CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ,配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A,配备
  • 1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7助力690V变频器扩容提频2025-07-30 17:30

    随着国家“双碳”政策的推进,大力推广节能减排技术已经在各行业逐步深化。在高能耗的工业应用中,通过变频器控制电机调速可以节能大约15-40%,有着巨大的经济效益,因此一直是节能减排的重要措施。作为通用变频器重要的细分产品,690V变频器主要应用于冶金、石油、造纸、港口大型起重设备和船舶等领域。英飞凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模块已经在69
    324浏览量
  • 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件2025-07-28 17:06

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位(ANPC)、维也纳整流器和飞跨电容(FCC)等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是,第二代产品显著降低了输出电容(Coss),使其在循环变流器、
    230浏览量
  • 电解电容真的不可靠吗?2025-07-26 09:14

    电容的高故障率是电力电子系统可靠性问题的一大来源,其中电解电容短寿命的特点尤为突出。然而,追求可靠性的本质是追求产品全寿命周期成本的最优,从这一角度出发,可靠性不高的电解电容也许在某些应用中更加“可靠”。不同类型的电容特性差距甚远,如何根据需求取舍、权衡其中的利弊关系,体现了工程学科的精
  • 新品 | 面向低功率储能应用的Easy模块产品扩展2025-07-23 17:03

    新品面向低功率储能系统应用的产品扩展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二极管技术的三电平NPC1拓扑的EasyPACK3B模块;●采用1200VCoolSiCMOSFET和L7EC7技术的有源中性点钳位(ANPC)拓扑的EasyPACK3B模块;●采用2000VCoolSiCMOSFET的EasyPACK3B半桥模块;所有模块均配
    175浏览量
  • 新品 | 面向光伏应用的Easy模块产品扩展2025-07-21 17:26

    新品面向光伏应用的Easy模块产品扩展采用增强型第一代CoolSiCMOSFET的EasyPACK1B半桥升压拓扑,集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚,为太阳能逆变器系统设计提供理想的一体化解决方案。产品型号:■DF17MR12W1M1HF_B86产品特点Easy系列模块高度12mm配备增强型第一代沟槽技术的12kVCoolSiCMOSFET极低
    336浏览量
  • AI的尽头是能源?(2)2025-07-19 08:34

    本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品,来自上海科技大学的诸葛英健投稿。2AI还是个耗水狂魔根据兰道尔原理,处理信息是有能量成本的。但这一部分只是AI耗电中的一小部分,更多的能量消耗来自焦耳定律。当芯片在进行信息处理时,其中的晶体管会在开关状态中进行切换,而这就产生了电流。又由于电路中电阻的存在,这些能量不可避免地转化成热能。目前台积电等芯片巨头已经在积
    256浏览量
  • 新品 | 面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展2025-07-15 17:08

    新品面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展EasyPACK3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四单元模块,采用增强型第一代CoolSiCMOSFET技术,集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚。产品型号:■F4-6MR20W3M1H_B11■F4-10MR20W3M1H_B11■F4-11MR12W3M1H_B1
    202浏览量
  • SiC MOSFET在三相四桥臂变换器中的应用优势2025-07-14 18:18

    由于第四桥臂的引入,对比三相三桥臂变换器,负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三个(±Udc,0),因此自然的,相同电路参数下,输出电流的谐波畸变度将会更大,下图所示为相同开关频率,相同滤波器参数以及输出相同电流有效值情况下,两种拓扑的负载电压电流波形与电流THD对比,三相四桥臂变换器输出电流谐波含量明显更高。(参考链接:三相
    198浏览量