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直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3.2A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):25A;正向压降(Vf):1V@12.5A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):300A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):60A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
DIYI
Taiwan Semiconductor
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):35A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Jingdao
3.2A 600V 5uA@600V 175A 1V@4A -55℃~+150℃@(Tj) GBU Bridge Rectifiers ROHS
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@500mA;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):35A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.2A;正向压降(Vf):1.1V@1.2A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):40A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Jingdao
直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):2.5A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):135A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):1.2V@7.5A;反向电流(Ir):10uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):300A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE