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替代物料
SGF23N60UFTU
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT, 600V, PT
Datasheet:
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器件参数
Function
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额定电流
12 A
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额定电压
600 V
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集电极电流
23 A
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集电极发射极饱和电压
2.1 V
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集电极-发射极电压
600 V
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集电极-发射极击穿电压
600 V
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配置
Single
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功率耗散
75 W
Physical
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重量
0.245577 oz
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抗辐射加固
No
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工作温度
-55 °C, 150 °C
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安装方式
Through Hole
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包装方式
Rail/Tube
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包装数量
30
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制造商封装
TO-3PF