4N60器件的特性分析
UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。4n60一般有耗尽型和强化型两种。
特征：
1、4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V
2、极低栅电荷，典型15nC
3、极低反向转换电容；典型8pF
4、快速开关能力
5、增强的dV/di能力
6、100%雪崩击穿测试
7、封装型式：TO-220/TO-220F
8、最大结温 150 ℃
推荐阅读：http:/d/806647.html
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
开关电源
+关注
关注
6511文章
8599浏览量
490271 -
电荷
+关注
关注
1文章
653浏览量
36803 -
MOSEFT
+关注
关注
0文章
35浏览量
4698
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
现货提供***进口原装2N60、4N60、7N60、8N60等晶圆片
还在为找货源头疼吗，还在为品质问题头疼吗，我司是***原装进口MOS晶圆片总代理，有现货，2N60，4N60，7N60，8N60等，一流品质，诚信生意，有需要的公司朋友欢迎联系采购，联系方式：张先生021-52386597，QQ：85220056，来电或加QQ请注明需求。
发表于 04-28 18:20
BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
发表于 08-20 08:03
LED电源最常用MOS管: 2N60,4N60,7N60
LED电源最常用600VMOS管，主要是 2N60，4N60，7N60，适用于5W~150W的LED电源，广泛运用于射灯、日光灯、台灯、路灯、工矿灯投光灯、泛光灯等等LED灯品深圳市三佛科技有限公司
发表于 05-23 16:07
电源适配器开关选用MOS10N60，MOS管比三极管常用原因所在
，栅极电流极小，MOS管饱和导通时产生的压降低，耗散功率小，效率也更高6、MOS管开关静态时漏电小，功耗小而飞虹设计的适配器方案中开关Q采用的是高压MOS，如2N60、4N60、7N60、8N
发表于 11-06 11:03
什么是MOS管7N60，ASEMI-7N60有什么优势
情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反也不会影响器件的性能，7N60这种器件被认为是对称的。 7N60参数描述型号：7N60封装：TO-2
发表于 12-01 16:39
N 沟道 LFPAK 60V,4.0 mΩ 标准电平 FET-PSMN4R0-60YS
N 沟道 LFPAK 60 V、4.0 mΩ 标准电平 FET-PSMN4R0-60YS
发表于 02-23 18:45
?0次下载
ASEMI大功率IGBT管FGH60N60
FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60
型号：FGH60N60
品牌：ASEMI
封装：TO-247
特性：IGBT管
正向电流：
发表于 02-24 15:21
?1次下载
安森美FGH60N60SFD车规级IGBT
源击穿电压：600V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管 芯片个数： 沟道类型： 漏电流：ua 特性：IGBT、二极管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的FGH60N6
发表于 02-24 15:18
?0次下载
常见EMC器件的特性及选型分析
常见EMC器件的特性及选型分析? EMC（电磁兼容性）是指电子设备在电磁环境中正常工作，同时不对周围环境产生干扰。为了满足EMC的需求，需要选择合适的EMC器件。 一、EMC
FA60-220S24G2N4 FA60-220S24G2N4
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)FA60-220S24G2N4相关产品参数、数据手册，更有FA60-220S24G2N4的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，FA60-220S24G2N4真
发表于 03-19 18:30
工商网监
评论