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NTE3311

制造商:NTE Electronics

描述:IGBT 600 V 25 A 150 W Through Hole TO-3P

Datasheet:

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  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件参数

Function

  • 集电极电流
    25 A
  • 集电极-发射极电压
    600 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    600 V
  • 配置
    Single

Physical

  • 引脚数
    3
  • 安装方式
    Through Hole
  • 制造商封装
    TO-3P-3, SC-65-3
库存量:0
预计交期:
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单价
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