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ON Semiconductor

FGH60N60SMD

IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

数据手册下载立即订购

FGH60N60SMD 器件参数

Function

集电极电流

120 A
集电极发射极饱和电压

1.9 V
集电极-发射极电压

600 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
配置

Single
类型

场截止
栅极电荷

189 nC
晶体管类型

场截止
接通延迟时间

27 ns
反向恢复时间

39 ns
功率耗散

600 W
关闭延迟时间

146 ns

Physical

重量

0.225401 oz
触点镀层

Tin
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

30
制造商封装

TO-247-3

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Yes
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

20.6 mm
长度

15.6 mm
宽度

4.7 mm

FGH60N60SMD EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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FGH60N60SMD 数据手册

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1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

FGH60N60SMD

1年前

Huaqiu Chip

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Huaqiu Chip
Digikey

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