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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTRA412852FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTRA412852FC-V1

--- 产品参数 ---

  • 典型的脉冲连续波性能 960 – 1215 兆赫
  • 脉冲宽度 128 μs
  • 占空比 10%
  • P3dB输出功率 1400 W
  • 效率 68%

--- 产品详情 ---

描述
GTVA101K4 是一款专为高效设计的 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力。这使得 GTVA101K4 非常适合 0.96 – 1.4 GHz 频段的应用。该晶体管可用于从 UHF 到 1.4 GHz 的特定频段应用。
 

GTRA412852FC-V1

 

 

特征
输入匹配
典型的脉冲连续波性能；960 – 1215 兆赫；50伏；单面；128 μs 脉冲宽度；10% 占空比；P3dB = 1400 W 时的输出功率；效率 = 68%；增益 = 17 分贝
无铅且符合 RoHS 标准

 

应用
雷达放大器

 

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