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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTRA362002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTRA362002FC-V1

--- 产品参数 ---

  • P3dB输出功率 200 W
  • 效率 60%
  • 增益 12.5 分贝
  • 输出功率 30 W (CW)

--- 产品详情 ---

描述
GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设计用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配功能；高效率; 以及带有无耳法兰的热增强封装。

GTRA362002FC-V1

 

 

特征
输入匹配
非对称 Doherty 设计：主 P3dB 85 W Typ；峰值 P3dB 115 W 典型值
典型的脉冲连续波性能；3500兆赫；48 伏；综合产出
P3dB 200 W 时的输出功率
效率 60%
增益 12.5 分贝
能够处理 10:1 VSWR @50 V；30 W (CW) 输出功率
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准

 

应用
多标准蜂窝功率放大器

 

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