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肖特基二极管四通道混频器芯片采用薄膜框架 skyworksinc

数据：肖特基二极管四通道混频器芯片采用薄膜框架数据手册

产品生命周期生产中

最小 V_B@ 10 μA （V）3

配置四边形桥接

V_F I_F= 1 毫安（mV）325-425

C_J V_R= 0 V，F = 1 MHz （pF）0.15-3.0

最大 ΔVF IF = 1 mA （mV）10

最大 RT IF = 10 mA （Ω）14

技术文档

数据手册（1）

肖特基二极管四通道混频器芯片采用薄膜框架数据手册

元器件购买 肖特基二极管四通道混频器芯片采用薄膜框架相关库存

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