深圳市浮思特科技有限公司

动态

• 发布了文章 2025-07-23 11:45

  迈瑞迪红外热像仪模块：为智能设备装上“温度透视眼”

  

  在工业检测、安防监控和智能硬件领域，精准感知温度分布正成为刚需。传统热像仪体积大、功耗高、成本昂贵，严重制约嵌入式应用。如何为设备赋予“看透温度”的能力?今天介绍一块迈瑞迪SenXor?微型红外热像仪模块以指甲盖大小的体积、超低功耗和工业级性能，重新定义温度可视化解决方案!01产品核心价值：让温度“看得见”迈瑞迪SenXor?专为解决嵌入式温度成像痛点而生：

  智能设备 红外热像仪

  111浏览量

• 发布了文章 2025-07-21 10:02

  台积电引领全球半导体制程创新，2纳米制程备受关注

  

  在全球半导体行业中，先进制程技术的竞争愈演愈烈。目前，只有台积电、三星和英特尔三家公司能够进入3纳米以下的先进制程领域。然而，台积电凭借其卓越的技术实力，已经在这一领域占据了明显的领先地位，吸引了众多大型科技公司的订单。根据韩国媒体ChosunBiz的报道，台积电的2纳米制程技术将率先应用于苹果计划推出的下一代iPhone系列的应用处理器(AP)生产。这一决

  半导体 台积电

  295浏览量

• 发布了文章 2025-07-21 09:57

  SiC二极管相比普通二极管有哪些优势呢?

  

  在功率电子领域，碳化硅(SiC)技术正逐步取代传统硅基器件。作为宽禁带半导体的代表，SiC二极管凭借其物理特性在多方面实现了性能突破。宽禁带半导体材料碳禁带宽度(SiC：3.2eVvsSi：1.1eV)带来的物理特性突破，使碳化硅二极管在功率电子领域展现出革命性优势。本文从半导体物理层面解析其技术原理。材料特性驱动的根本优势空间压缩效应SiC介电击穿场强(2

  SiC二极管 二极管 宽禁带半导体

  153浏览量

• 发布了文章 2025-07-16 10:16

  集成电路产业迎利好!两部门联合发布计量支撑行动方案

  

  近日，市场监管总局与工业和信息化部联合发布《计量支撑产业新质生产力发展行动方案》(以下简称《方案》)，明确提出将重点支持集成电路等战略性新兴产业，通过突破核心计量技术瓶颈，助力产业高质量发展。这一举措被视为我国集成电路产业发展的又一重要政策利好。《方案》指出，要针对集成电路产业的实际需求，集中力量解决核心计量技术问题。其中，重点突破扁平化量值传递技术，攻克晶

  芯片 集成电路

  607浏览量

• 发布了文章 2025-07-16 10:15

  浮思特 | 无刷电机与有刷直流电机的区别是什么，该如何选择?

  

  在精密运动控制领域，永磁直流电机因其优于交流电机的可控性，被广泛应用于需精准调节速度、扭矩或位置的场景。美蓓亚三美有刷直流电机当前主流直流电机分为有刷电机与无刷电机(BLDC)两大技术路线——前者依赖机械电刷换向，后者则通过电子控制实现磁场切换。尽管二者均基于电磁作用原理，但在实际应用中需根据性能需求权衡选择。有刷直流电机工作原理有刷电机的核心在于其机械换向

  无刷电机 直流有刷电机 直流电机 运动控制

  304浏览量

• 发布了文章 2025-07-15 09:58

  恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二极管，助力工业电源应用高效能量转换

  

  近日，知名半导体公司恩智浦(NXP)宣布推出两款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些新产品的推出旨在满足日益增长的工业电源应用需求，特别是在超低功率损耗整流方面。这一创新不仅将推动各个工业部门的高效能量转换，还将帮助企业实现更高的能效和更低的运营成本。随着工业自动化和电动化进程的加速，电源管理的效率变得越来越重要。恩智浦的新型碳化硅肖特基

  二极管 工业电源 恩智浦

  429浏览量

• 发布了文章 2025-07-15 09:57

  浮思特 | 高温高栅压耦合加速IGBT性能劣化机制与防护

  

  IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心开关器件，其长期可靠性直接关系到设备寿命与运行安全。在诸多应力因素中，高栅极电压(Vge)与工作温度(Tj)的协同作用，往往成为加速器件内部劣化、引发早期失效的关键诱因。本文深入探讨该耦合效应背后的物理机制，并基于实验数据提出缓解策略。栅极电压与IGBT可靠性基础IGBT的栅极结构类似于MOSFET，其

  IGBT 开关器件 电压

  1.3k浏览量

• 发布了文章 2025-07-14 10:17

  瑞萨电子推出650伏氮化镓场效应晶体管，推动高效电源转换技术

  

  在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度电源转换的需求。这三款晶体管支持功率范围从1千瓦到10千瓦及以上，适用于各种新兴的800伏高压直流拓扑结构。随着人工智能(AI)、电动汽车(EV)和可再生能源的迅

  晶体管 氮化镓 瑞萨电子

  1.5k浏览量

• 发布了文章 2025-07-14 10:16

  浮思特 | 如何开发高效可靠的人机界面(HMI)：实践与考量

  

  在复杂设备控制系统的开发中，为不同角色的使用者(如操作员、管理员、维护人员)设计合适的交互界面至关重要，这便是人机界面(HMI)的核心任务。HMI形式多样，从紧凑的嵌入式LCD屏到大型工业触摸屏，乃至支持远程操作的Web或App界面，其设计质量直接影响设备的易用性、效率和安全性。需求定义：成功的基石敏捷开发模式在HMI设计中颇为流行，通过迭代冲刺推进需求、设

  HMI 人机界面 嵌入式

  138浏览量

• 发布了文章 2025-07-11 10:07

  三星电子全力推进2纳米制程，力争在2025年内实现良率70%

  

  根据韩国媒体ChosunBiz的报道，三星电子的晶圆代工事业部正在全力押注其2纳米制程技术，目标是在2025年内实现良率提升至70%。这一战略旨在吸引更多大客户订单，进一步巩固其在半导体市场中的竞争地位。业界普遍认为，目前三星的2纳米制程良率仍不足30%。虽然有内部消息称其初期良率已优于以往的制程技术，但在量产阶段，三星能否与国际竞争对手台积电抗衡仍然是一个

  三星电子 晶圆 芯片

  547浏览量