深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2025-03-27 11:48

  创新非对称瞬态电压抑制二极管在SiC MOSFET门保护中的应用

  

  保护半导体设备和电子设备是任何稳健的电源管理和电路设计的关键。在本文中，我们将重点介绍非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，这些二极管非常适合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的门保护。瞬态保护设备瞬态尖峰可以由雷电、附近的机械设备、电源负载切换等引起。一个例子是现代汽车，其中越来越多的车载电子设备连接到电池和发电机。发电机的输出可能不稳定，例如在电池断开

  MOSFET SiC 二极管 瞬态电压

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• 发布了文章 2025-03-26 12:00

  探讨RC电路在逆变器设计中的应用与限制

  

  不可能用简单的RC电路制作逆变器，我们注意到逆变器的重要性，因为这些设备在光伏系统中至关重要。不幸的是，重现一个完美的正弦波形(频率f0=50/60Hz)非常困难，甚至是不可能的。这意味着必然存在与f0成倍的谐波，如果系统没有适当屏蔽，这些频率将产生电磁辐射，从而干扰其他传输/接收设备。积分电路练习1：考虑施加在具有时间常数τ=RC的积分器电路上的以下输入：

  RC电路 逆变器

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• 发布了文章 2025-03-25 11:25

  全球芯片产业进入2纳米竞争阶段：台积电率先实现量产!

  

  随着科技的不断进步，全球芯片产业正在进入一个全新的竞争阶段，2纳米制程技术的研发和量产成为了各大芯片制造商的主要目标。近期，台积电、三星、英特尔以及日本的Rapidus等公司纷纷加快了在2纳米技术方面的布局，展现出对这一新技术的强烈追求。根据外媒的报道，台积电计划于3月31日在高雄厂举办2纳米扩产典礼，并于4月1日起开始接受2纳米晶圆的订单预订。台积电作为全

  台积电 芯片

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• 发布了文章 2025-03-25 11:23

  智能功率模块在电动机驱动逆变器中的应用与优势分析

  

  在消费类和通用工业应用中，针对小型交流电动机的逆变器设计师面临着日益严格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑战。传统上，许多小型逆变器设计采用离散功率器件封装，并结合实现接口、驱动和保护功能所需的辅助组件。这种方法需要较大的复杂PCB设计，以满足驱动器和离散功率器件组合的所有间距和布局要求。另一个同样令人困惑的问题是，当驱动器和功率器件的特性未能正确匹配时，如何保

  电动机 逆变器 驱动

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• 发布了文章 2025-03-24 11:38

  Vicor在台湾推广48V电源模块：模块化设计的市场竞争优势

  

  近日，美系功率半导体模块厂商Vicor在中国台湾举办了一场媒体活动，重点宣传其最新的48V电源模块平台。此次活动吸引了众多媒体及行业专家的关注，凸显了Vicor在电源管理领域的创新实力和市场策略。Vicor在活动中强调，其模块化设计在市场上的竞争优势与众不同。与许多传统的美系电源管理IC厂商和IDM(集成设备制造商)不同，Vicor并不将所有功能整合在一块电

  Vicor 电源模块

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• 发布了文章 2025-03-24 11:36

  浮思特 | 创新互补模型：提升功率电子转换器设计与仿真的新方法

  

  功率电子转换器可以视为由分段线性元件(传统元件如电阻、电感和电容是特例)与电压源、电流源、二极管和电子开关(如晶闸管、晶体管、MOSFET等)组成。在此背景下，我们将电子设备(ED)定义为任何具有分段线性电流-电压特性的电气或电子元件，尽管这可能是一个不太精确的术语。在许多实际情况下，电子设备可以建模为一个可变电阻，其在导通状态下的值非常低，而在阻断状态下的

  仿真 功率电子 转换器

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• 发布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麦格理集团出售亚利桑那州晶圆厂二号

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麦格理集团(MacquarieGroup)，负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂——晶圆厂二号的市场推广与出售。这标志着Microchip在调整其制造规模方面迈出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球领先的半导体解决方案提供商，专注于微控制器、模拟半导体、闪存等领域。公司在技术

  microchip 半导体 晶圆

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• 发布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC变换器设计中的优势

  

  使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷，或氮化镓HEMT的零反向恢复电荷，使设计师能够制造比基于硅的替代品更小且高效的电力系统。然而，尽管氮化镓和碳化硅有如此多的优势，这些开关类型与经过验证的硅MOSFET或IGBT相比仍显得有些陌生。FutureElectroni

  LLC变换器 SiC MOSFET 电源开关

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• 发布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用创新X.PAK封装技术

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出的X.PAK封装尺寸紧凑，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

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• 发布了文章 2025-03-20 11:16

  SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合，提升电力转换性能

  

  使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC肖特基二极管SiC肖特基二极管相较于标准的硅p/n二极管提供了许多优势。一个关键优势是缺乏反向恢复损失，这种损失在p/n二极管中尤为显著，特别是在高温、快速切换和高电

  MOSFET SiC 肖特基势垒二极管

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