基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存已实现量产
现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
程卫华还指出，通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展，同时借着5G网络，长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。
按照之前公布的消息看，在3D闪存上，长江存储自己研发了Xtacking 3D堆栈技术，今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。
到了2020年，长江存储将会推出128层堆栈的3D闪存，在技术上缩短甚至追上与国际一流厂商的差距——今年三星、东芝、美光等公司量产了96层的3D闪存，部分厂商甚至开始量产128层堆栈的闪存。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND
+关注
关注
16文章
1723浏览量
138362 -
存储
+关注
关注
13文章
4542浏览量
87599 -
长江存储
+关注
关注
5文章
325浏览量
38397
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash
NAND
文章目录
NAND
一、FLASH闪存是什么？
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH闪存是什么？
简
发表于 07-03 14:33
TechWiz LCD 3D应用：局部液晶配向
，并增加Condition层
此层为局部摩擦的层，所以要注意区域的设置；
设置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D软件中将Local Mask的顶部以及底部
发表于 06-16 08:46
SK海力士UFS 4.1来了，基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品
铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度
两家公司预展第十代3D闪存技术，为性能、能效和位密度设立新标准旧金山,国际固态电路会议（ISSCC）——铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术，凭借4.8Gb/sNAND接
TechWiz LCD 3D应用：局部液晶配向
，并增加Condition层
此层为局部摩擦的层，所以要注意区域的设置；
设置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D软件中将Local Mask的顶部以及底部
发表于 02-08 08:52
腾讯混元3D AI创作引擎正式上线
近日，腾讯公司宣布其自主研发的混元3D AI创作引擎已正式上线。这一创新性的创作工具，标志着腾讯在3D内容生成领域迈出了重要一步。 混元3D AI创作引擎的核心功能极为强大，用户只需通
TechWiz LCD 3D应用：局部液晶配向
，并增加Condition层
此层为局部摩擦的层，所以要注意区域的设置；
设置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D软件中将Local Mask的顶部以及底部
发表于 01-03 08:58
3D NAND的发展方向是500到1000层
芯片行业正在努力在未来几年内将?3D NAND?闪存的堆栈高度提高四倍，从 200 层增加到 800 层或更多，利用额外的容量将有助于满足对
【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进
发表于 12-17 17:34
3D-NAND浮栅晶体管的结构解析
传统平面NAND闪存技术的扩展性已达到极限。为了解决这一问题，3D-NAND闪存技术应运而生，通过在垂直方向上堆叠存储单元，大幅提升了存储密度。本文将简要介绍
铠侠量产四层单元QLC UFS 4.0闪存
近日，铠侠宣布成功量产业界首款采用四层单元（4LC）技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS，拥有更高的位密度，使其在存储需求日益增长的移动应用程序领域
格科微:5000万像素图像传感器实现量产出货
格科微于10月13日发布公告，宣布其5，000万像素图像传感器产品已成功实现量产出货。该产品建立在格科微已量产的3，200万像素图像传感器技术基础上，采用了先进的单芯片高像素CIS
NAND闪存的发展历程
NAND闪存的发展历程是一段充满创新与突破的历程，它自诞生以来就不断推动着存储技术的进步。以下是对NAND闪存发展历程的详细梳理，将全面且深入地介绍其关键节点和重要进展。
工商网监
评论