1.2A 过压/过流保护器LTC4362特性/典型应用/数据下载

描述

LTC^?4362 单片式过压/过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包括墙上适配器、汽车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而设计。

LTC4362 用于控制一个与输入电源串联的内部 40mΩ N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4362 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。在大多数应用中，LTC4362 可安全地经受电感性电缆瞬变，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。一个内部电流检测电阻器用于实现过流保护功能。

LTC4362 具有一种用于限制浪涌电流的延迟启动 (在插电时) 和受控型 dV/dt 斜坡上升功能。一个PWRGD引脚提供了针对 V_IN 的电源良好监视功能。LTC4362 具有一种受控于ON引脚的软停机功能，并驱动一个任选的外部 P 沟道 MOSFET 以提供负电压保护。在一个过压情况之后，LTC4362 将在一个 130ms 的延迟之后自动重新起动。在一个过流情况之后，LTC4362-1 保持关断状态，而 LTC4362-2 将在一个 130ms 的延迟之后自动重新起动。

封装

特点

●2.5V 至 5.5V 工作电压

●过压保护高达 28V

●内部 40mΩ N 沟道 MOSFET 和 31mΩ RSENSE

●对于大多数应用，雪崩额定 MOSFET 无需使用输入电容器或 TVS (瞬态电压抑制器)

●<1μs 的过压关断时间，渐渐逐步地停机

●准确度为 2% 的 5.8V 过压门限

●准确度为 20% 的 1.5A 过流门限

●采用 1μF C_OUT时，输入可承受高达 ±25kV HBM ESD

●受控的上电 dV/dt 限制浪涌电流

●反向电压保护驱动器

●低电流停机模式

●在过流之后锁断 (LTC4362-1) 或自动重试 (LTC4362-2)

●采用8 引脚 2mm x 3mm DFN 封装

典型应用

应用

●USB保护

●手持式计算机

●蜂窝电话/智能手机

●MP3 / MP4 播放器

●数码相机

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