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基于LM74721-Q1的理想二极管控制器技术解析与应用

科技观察员 ? 2025-09-11 15:50 ? 次阅读
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Texas Instruments LM74721EVM控制器评估模块 (EVM) 有助于设计人员评估LM74721-Q1理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行和性能。该评估模块演示LM74721-Q1如何控制两个N沟道功率MOSFET,先连接理想二极管MOSFET,然后再连接第二个MOSFET,以实现开关输出和电源路径切断。Texas Instruments LM74721-Q1可承受并保护负载免受低至 –33V DC负电源电压的影响。集成式理想二极管控制器 (GATE) 驱动首个替代SCHOTTKY二极管的MOSFET,以实现反向输入保护和输出电压保持。集成的VDS钳位功能可实现输入更少TVS的系统设计,从而在汽车应用中实现符合ISO7637标准的脉冲抑制。具有快速打开和关闭比较器的强大升压稳压器可确保在ISO16750或LV124等汽车测试中实现稳健高效的MOSFET开关性能,其中ECU取决于输入短路中断和交流叠加输入信号频率。

数据手册:*附件:Texas Instruments LM74721EVM控制器评估模块数据手册.pdf

特性

  • 集成VDS钳位,可在输入TVS较少的情况下运行,以抑制ISO7637脉冲1
  • 12V反向输入保护低至-33V
  • 输入工作电压范围:3V至40V,可扩大到65V
  • 最大负载电流:5A
  • 用于电源路径截止或钳位的开关输出选项
  • 启用开/关控制
  • 编程过压截止
  • 输出电压转换率控制选项
  • LED指示,用于输出开/关检测

测试设置

1.png

基于LM74721-Q1的理想二极管控制器技术解析与应用

一、LM74721-Q1概述

LM74721-Q1是德州仪器(TI)推出的一款汽车级理想二极管控制器,专为需要反向电池保护和电源路径管理的汽车电子系统设计。该器件通过驱动外部背对背N沟道MOSFET,实现了理想二极管整流功能,同时集成了电源路径ON/OFF控制和过压保护能力。

?关键特性?:

  • 3V至40V的宽输入工作范围(可扩展至65V)
  • 支持-33V的反向电池保护
  • 集成VDS钳位功能,支持无TVS设计(满足ISO7637脉冲1抑制)
  • 内置强效升压稳压器,确保MOSFET在严苛条件下可靠开关
  • 5A最大负载电流能力
  • 可编程过压切断功能
  • 输出压摆率控制选项

二、核心功能解析

2.1 理想二极管功能实现

LM74721-Q1通过精确控制外部MOSFET(Q1)的栅极驱动(GATE),模拟理想二极管行为。相比传统肖特基二极管解决方案:

?优势对比?:

参数肖特基二极管方案LM74721-Q1方案
正向压降0.3-0.7V<50mV(取决于MOSFET Rdson)
反向恢复有反向恢复电流无反向恢复问题
功率损耗较高(P=Vf×I)极低(P=I?×Rdson)
温度特性随温度升高性能下降温度稳定性好

2.2 电源路径管理

当需要实现电源路径ON/OFF控制时,可配置第二个MOSFET(Q2):

  • ?EN引脚控制?:通过外部MCU信号控制电源路径通断
  • ?过压保护?:可编程OV阈值(通过电阻分压网络设置)
  • ?输出压摆率控制?:通过R5和C5网络调节开启斜率

2.3 VDS钳位功能

创新性的VDS钳位技术使系统设计可省略输入TVS二极管:

  • 在ISO7637脉冲1测试条件下提供有效保护
  • 降低BOM成本和PCB面积
  • 仍可选项安装TVS(D2位置)应对更高幅值瞬变

三、典型应用电路设计

3.1 基本配置

?元件选型建议?:

  • ?MOSFET选择?:
    • Q1:60V耐压,低Rdson(如CSD18540Q5B)
    • Q2(可选):根据负载电流选择合适规格
  • ?电感选择?:100μH升压电感(L_Boost1)
  • ?电容配置?:
    • 输入:至少1μF陶瓷+100nF高频去耦
    • 输出:47μF+220μF电解电容组合

3.2 PCB布局要点

基于评估模块(EVM)的最佳实践:

  1. ?功率路径?:保持宽而短的铜箔走线,减少寄生阻抗
  2. ?地平面?:区分功率地(PGND)和模拟地(AGND),单点连接
  3. ?热设计?:为MOSFET提供足够的铜箔面积散热
  4. ?敏感信号?:GATE和PD走线远离高频开关节点

四、汽车电子应用实例

4.1 ADAS域控制器电源保护

  • 防止摄像头/雷达模块的反接故障
  • 处理启停系统中的电压骤降
  • 满足ISO 16750-2和LV124测试要求

4.2 信息娱乐系统

4.3 测试数据展示

基于LM74721EVM的实测性能:

  • ?启动特性?:GATE软启动时间约2ms,限制浪涌电流
  • ?负载响应?:100mA到5A阶跃负载,输出电压跌落<200mV
  • ?热性能?:5A连续负载下MOSFET温升<40°C(适当散热条件下)

五、设计注意事项

  1. ?负瞬变保护?:输出端需保留肖特基二极管(D3)应对可能的负瞬变
  2. ?EN引脚处理?:避免浮空,可通过电阻上拉/下拉
  3. ?故障诊断?:利用状态LED(D4)实现电源状态指示
  4. ?测试验证?:建议进行以下测试:
    • 反向电池(-33V)耐受测试
    • ISO7637脉冲1/2a/3a/3b测试
    • 负载突降测试
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