Texas Instruments TPS56C231 12A同步降压转换器是一款小型、高效、同步降压转换器，具有自适应接通时间D-CAP3控制模式。无需外部补偿，因为该器件简单易用，仅需极少外部元件。该器件非常适合用于空间受限的数据中心应用。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS56C231 12A同步降压转换器数据手册.pdf

TPS56C231具有非常有竞争力的特性，包括快速负载瞬态响应、非常精确的基准电压、无需外部补偿以及可调节电流限制。提供Eco-mode和FCCM运行模式，可在轻负载条件下通过MODE引脚配置进行选择。为了在轻负载时实现高效率，可以选择Eco-mode。为了满足严格的输出电压纹波要求，可以选择FCCM。Texas Instruments TPS56C231的工作结温范围为–40°C至+125°C。

特性

• 输入电压范围：4.5V至17V，无外部偏置
• 输入电压范围：3.8V至17V，带外部偏置
• 支持12A连续输出电流
• TPS56C231支持15A峰值电流
• 集成7.8mΩ和3.2mΩ MOSFET
• 参考电压：0.6V ±1%（–40°C至125°C结温范围）
• 输出电压范围：0.6V - 5.5V
• 低静态电流：146?A
• D-CAP3?控制模式，可实现快速瞬态响应
• 支持陶瓷输出电容器
• fSW可选400kHz、800kHz和1200kHz
• 可选FCCM（强制连续导通模式），用于紧密输出电压纹波
• 可选Eco-mode（自动跳跃模式），用于提高轻负载效率
• 可选的外部5V偏置，可提高效率
• 预偏置启动功能
• 可调软启动，默认软启动时间为1.2ms
• 电源良好指示器，用于监控输出电压
• 两种具有断续模式的可调限流设置：TPS56C231（14.7A、17A）和 TPS56C231L（11.5A、13.8A）

简化示意图

TPS56C231 12A同步降压转换器技术解析与应用指南

一、产品核心特性

TPS56C231是德州仪器(TI)推出的一款高效率同步降压转换器，采用3.5mm×3.5mm HotRod? QFN封装，具有以下突出特性：

• ?宽输入电压范围?：3.8V至17V（带外部偏置时）
• ?高输出能力?：支持12A连续电流和15A峰值电流
• ?超低导通电阻?：集成7.8mΩ(高边)和3.2mΩ(低边)MOSFET
• ?精密基准电压?：0.6V±1%精度（-40°C至125°C）
• ?灵活频率选择?：支持400kHz/800kHz/1200kHz三种开关频率
• ?双工作模式?：强制连续导通模式(FCCM)与Eco模式(自动跳频)可选
• ?全面保护功能?：过流/过压/欠压/过热保护及电源良好指示

二、关键技术创新

1. D-CAP3?控制架构

采用自适应导通时间控制技术实现：

• ?快速瞬态响应?：无需外部补偿网络
• ?宽电容兼容性?：支持陶瓷电容/POSCAP/SP-CAP等多种输出电容
• ?精准电压调节?：集成误差放大器确保输出电压精度
• ?纹波注入优化?：根据开关频率自动调整零点位置（400kHz时17.8kHz，1200kHz时29.8kHz）

2. 智能功率管理

• ?双模式运行?：
  • FCCM模式：全负载范围内固定频率，适合低纹波应用
  • Eco模式：轻载时自动跳频，效率提升达15%（实测12V转1.2V@10mA）
• ?可调软启动?：默认1.2ms，可通过SS引脚外接电容扩展
• ?外部偏置支持?：VREG5引脚可接外部5V电源提升效率

三、典型应用设计

1. 数据中心12V转1.2V/12A电源方案

?设计参数?：

• 输入电压：10.8-13.2V
• 输出电流：12A连续/15A峰值
• 纹波要求：<40mVp-p

?关键元件选型?：

• ?电感器?：0.68μH（Irat≥15A，DCR<2mΩ）
• ?输出电容?：4×47μF MLCC（低ESR型）
• ?输入电容?：4×22μF+0.1μF去耦组合
• ?反馈网络?：Rupper=10kΩ，Rlower=10kΩ
• ?频率设置?：MODE引脚接51kΩ/82kΩ分压（800kHz DCM模式）

2. 保护电路设计

?四级保护机制?：

1. ?过流保护?：谷值检测（14.7A/17A两档可选）
2. ?短路响应?：<200ns快速关断
3. ?热管理?：
   • 结温监控（160°C关断）
   • 热阻RθJA=49.9°C/W（需保证PCB散热设计）
4. ?时序保护?：预偏置启动防止电流倒灌

四、性能实测数据

五、PCB布局要点

1. ?功率路径优化?：
   • VIN/SW/PGND采用实心铜箔，线宽≥3mm
   • 每个VIN引脚就近布置22μF+0.1μF去耦组合
2. ?地平面分割?：
   • 功率地(PGND)与模拟地(AGND)星型单点连接
   • 底层设置完整地平面，通过多个φ0.3mm过孔互联
3. ?热设计建议?：
   • 使用2oz铜厚PCB
   • 器件底部裸露焊盘添加6×6散热过孔阵列
   • 必要时增加铜箔面积或散热片

六、选型对比指南