Texas Instruments TPS25985具有电流监测器的0.59mΩ、80A电子保险丝是一套集成式大电流电路保护/电源管理解决方案，采用小型4.5mm x 5mm封装，脚距为0.6mm。TPS25990只需很少的外部元件即可提供多种保护模式，能够非常有效地抵御过载、短路和过多浪涌电流。集成的快速、准确检测模拟负载电流监测器有助于进行预测性维护，并且先进的动态平台电源管理技术（如Intel PSYS和PROCHOT#）可更大限度地提高系统吞吐量和电源利用率。可以并行连接多个TPS25985器件，以增加高功率系统的总电流容量。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS25985具有电流监测器的80A可堆叠电子保险丝数据手册.pdf

特性

输入工作电压范围：4.5V至16V
- 绝对最大电压：20V
- 它在输出端可承受高达-1V负电压
集成FET，具有0.59mΩ（典型值）低导通电阻
额定电流为60A ~~RMS~~ ，峰值电流为80A
支持在启动和稳态期间并联多个电子保险丝，以实现更高电流支持和主动同步器件运行状态/共享负载，从而实现无限扩展
强大的过流保护
- 可调过流阈值 (IOCP) ：10A至60A，精度为±6%（最大值）
- 在稳态运行期间，断路器通过可调瞬态消隐计时器 (ITIMER) 进行响应，可支持高达2×I~~OCP~~的峰值电流
- 启动期间运行模式下的可调电流限制 (I ~~LIM~~ )
可靠的短路保护
- 快速跳闸响应 (<200ns) ，用于输出短路事件
- 可调 (2×IOCP) 和固定阈值
- 不受电源线路瞬变影响，无干扰性跳变
精确模拟负载电流监控
- 精度：±1.4%
- 带宽：>500kHz
快速过压保护（16.6V固定阈值）
可调节输出压摆率控制 (dVdt)，实现涌入电流保护
高电平有效使能输入，带可调节欠压锁定 (UVLO)
过热保护 (OTP) 以确保实现FET SOA保护，确保FET SOA：12W√s
集成式FET运行状况监测和报告
模拟芯片温度监测器输出 (TEMP)
专用故障指示引脚 (FLT)
电源良好指示引脚 (PG)
未实现的通用快速比较器
4.5mm x 5mm、0.6mm间距QFN封装，电源引脚和GND引脚之间的间隙为29mil
工作温度范围：-40°C至+125°C
无铅

功能框图

TPS25985x 80A可堆叠电子保险丝技术解析

一、产品概述

TPS25985x是德州仪器(TI)推出的一款高集成度电子保险丝(eFuse)解决方案，采用4.5mm×5mm QFN-26封装。该器件支持4.5V至16V工作电压范围，集成0.59mΩ超低导通电阻MOSFET，额定电流高达80A峰值，专为服务器、高性能计算、数据中心交换机和路由器等高功率应用设计。

?核心特性?：

?超高电流能力?：支持60A RMS连续电流和80A峰值电流
?可并联扩展?：支持无限并联扩展，实现更高电流支持
?精准电流监测?：±1.4%精度电流监测，>500kHz带宽
?多重保护机制?：
- 可调过流保护(10-60A, ±6%精度)
- <200ns快速短路保护
- 16.6V固定过压保护
- 可调浪涌电流控制(dVdt)
?智能热管理?：集成12W√s FET安全工作区保护
?全面诊断功能?：FET健康监测、温度监测、故障指示

二、关键电路设计

1. 并联架构设计

TPS25985x采用创新的并联同步技术：

?主动电流共享?：通过IMON引脚实现各器件间的实时电流均衡
?状态同步?：通过SWEN引脚实现启动/关断时序同步
?热均衡?：TEMP引脚输出最热器件的结温信息

?并联配置要点?：

主设备MODE引脚悬空，从设备MODE接地
所有器件SWEN、IMON、IREF引脚互连
RIMON=(VIREF)/(GIMON×IOCP_TOTAL)
RILIM=(1.1×N×RIMON)/3 (N为并联数量)

2. 保护电路架构

?四级保护机制?：

?浪涌控制?：通过DVDT电容调节输出压摆率(9.79V/ms@3.3nF)
?启动限流?：通过ILIM电阻设置(5.7-52.8A可调)
?稳态过流保护?：带可调消隐时间(0-16.5ms@22nF)
?快速短路保护?：固定阈值(99-290A)和可调阈值(2×IOCP)

三、典型应用设计

1. 数据中心12V/3.6kW电源路径保护

?设计参数?：

输入电压：10.8-13.2V
最大负载：300A DC
输出电容：55mF
过流阈值：330A(1.1×满载)

?关键元件选型?：

?并联数量?：5个器件(N=300A/60A)
?DVDT电容?：33nF(实现1.2V/ms压摆率)
?IREF电阻?：40.2kΩ(产生1V参考)
?IMON电阻?：167Ω(设置330A保护阈值)
?ILIM电阻?：300Ω(各器件独立设置)

?PCB布局要点?：

对称布局功率路径
每器件VDD端接10Ω+2.2μF滤波
保持SWEN走线短于15mm
功率地单点连接

2. 保护元件选型

?TVS 二极管?：

4×SMDJ12A并联
箝位电压<20V(IN引脚绝对值)

?肖特基二极管?：

3×SBR10U45SP5并联
IFSM>660A(2×IOCP)

四、性能参数

1. 电气特性(VIN=12V)

参数	条件	典型值	最大值
导通电阻	IOUT=8A, TJ=25℃	0.582mΩ	0.737mΩ
过流响应时间	稳态过流	16.5ms	-
短路响应时间	IOUT>2×IOCP	<200ns	-
静态电流	VEN>VUVLO	3.2mA	4.7mA

2. 热性能参数

参数	值
结到环境热阻(RθJA)	19.9°C/W
最大结温(TJMAX)	125°C
热关闭阈值(TSD)	150°C

五、设计注意事项

?散热设计?：
- 使用2oz铜厚PCB
- 每器件添加≥16个φ0.3mm散热过孔
- 强制风冷下可支持60A连续电流
?并联注意事项?：
- 主从器件ILIM电阻需差异配置
- TEMP引脚并联时需加10kΩ上拉(N>6时)
- 保持SWEN走线等长(ΔL<5mm)
?保护设置验证?：
- 使用22nF ITIMER电容验证16ms消隐时间
- 实测IMON线性度(误差<±1%@50A)
- 验证并联均流度(ΔI<10%)