?TPS65296 完整 LPDDR4/LPDDR4X 内存电源解决方案技术文档总结

TPS65296器件以最低的总成本和最小的空间为 LPDDR4/LPDDR4X 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 LPDDR4/LPDDR4X 上电和断电序列要求的 JEDEC 标准。该TPS65296集成了两个同步降压转换器（VDD1和VDD2）和一个1.5A LDO（VDDQ）。

该TPS65296采用开关频率为600kHz的D-CAP3?模式，可实现快速瞬态、良好的负载/线路调节，并支持无需外部补偿电路的陶瓷输出电容器。
*附件：tps65296.pdf

该TPS65296通过内部低 Rdson 功率 MOSFET 提供丰富的功能和良好的效率。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VDDQ置于高阻值，在S4/S5状态下放电VDD1、VDD2和VDDQ。完整的保护功能包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。该器件采用耐热增强型 18 引脚 HotRod? VQFN 封装，设计用于在 –40°C 至 125°C 结温范围内工作。

特性

• 同步降压转换器 （VDD2）
  • 输入电压范围：4.5 V 至 18 V
  • 输出电压固定在 1.1 V
  • D-CAP3? 模式控制，实现快速瞬态响应
  • 连续输出电流：8 A
  • 高级 Eco 模式?脉冲跳跃
  • 集成 22mΩ / 8.6mΩ R DS（开） 内部电源开关
  • 600 kHz 开关频率
  • 内部软启动：1.6 ms
  • 逐周期过流保护
  • 锁存输出 OV/UV 保护
• 同步降压转换器 （VDD1）
  • 输入电压范围：3 V 至 5.5 V
  • 输出电压固定为 1.8 V
  • D-CAP3? 模式控制，实现快速瞬态响应
  • 连续输出电流：1 A
  • 高级 Eco 模式?脉冲跳跃
  • 集成 150mΩ /120mΩ R DS（开） 内部电源开关
  • 580kHz 开关频率
  • 内部软启动：1 ms
  • 逐周期过流保护
  • 锁存输出 OV/UV 保护
• 1.5A LDO（VDDQ）
  • 1.5A 连续输出电流
  • 仅需要 10 μF 的陶瓷输出电容器
  • 在 S3 中支持高阻
  • ±30mV VDDQ输出精度（DC+AC）
• 低静态电流：150 μA
• 电源良好指示灯
• 输出放电功能
• 上电和断电排序控制
• 用于 OT 和 UVLO 保护的非锁存
• 18引脚3.0mm×3.0mm HotRod? VQFN封装

参数

方框图

?1. 核心特性?

• ?集成电源管理?：包含两路同步降压转换器（VDD1: 1.8V/1A，VDD2: 1.1V/8A）和一路1.5A LDO（VDDQ），满足JEDEC LPDDR4/LPDDR4X标准的上电/断电时序要求。
• ?高效控制技术?：
  • ?D-CAP3?模式?：支持快速瞬态响应，无需外部补偿电路，兼容陶瓷输出电容。
  • ? Advanced Eco-mode? ?：轻载时自动切换至脉冲跳跃模式，提升效率。
• ?保护功能?：过压（OVP）、欠压（UVP）、过流（OCP）、热关断（TSD）及电源正常（PGOOD）指示。

?2. 关键参数?

• ?输入范围?：
  • VDD2：4.5V-18V（PVIN），VDD1：3V-5.5V（PVIN_VDD1）。
• ?开关频率?：VDD2为600kHz，VDD1为580kHz。
• ?封装?：18引脚3mm×3mm HotRod? VQFN，工作温度-40°C至125°C。

?3. 应用场景?

• 笔记本电脑、平板电脑、工业PC及服务器内存供电。
• 支持LPDDR4（需禁用VDDQ）和LPDDR4X（启用VDDQ）两种配置。

?4. 设计要点?

• ?布局建议?：优先四层PCB，缩短高频路径（如SW节点），确保输入/输出电容贴近引脚。
• ?典型电路?：需配置电感（VDD2: 0.68μH，VDD1: 4.7μH）、输出电容（VDD2: 88-142μF）及自举电容（0.1μF串联5.1Ω）。

?5. 功能模式?

• ?状态控制?：通过VDD_EN/VDDQ_EN引脚实现S0（全开）、S3（VDDQ高阻）、S4/S5（全关放电）模式切换。
• ?时序要求?：VDD1需始终高于VDD2电压，VDDQ上电需在35μs内稳定。