端侧AI“堆叠DRAM”技术，这些国内厂商发力！-电子发烧友网

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）边缘AI需要更快更大容量的存储，为了突破接口速率、物理距离等因素，适用于AI推理的新型存储技术受到更多的关注。华邦电子的CUBE、兆易创新的堆叠存储，以及北京君正3D DRAM等定制化存储方案正是基于利基存储和先进封装，以近存计算的方式满足AI推理的存储需求。SoC厂商、下游终端厂商都在积极适配这一类新型存储。

华邦电子CUBE

华邦电子推出的CUBE（Customized Ultra-Bandwidth Elements）是一种针对SoC（System on Chip）在DRAM合封上遇到的挑战所设计的创新内存产品。这种紧凑超高带宽DRAM专为边缘计算领域设计，通过将SoC裸片置于DRAM裸片上方，CUBE技术能够在不采用SoC的TSV（Through-Silicon Via）工艺的同时，达到降低成本和尺寸的目的。此外，它还改进了散热效果，并特别适用于对低功耗、高带宽以及中低容量内存有需求的应用场景。

凭借 16GB/s 至 256GB/s 的带宽，CUBE 可提供远高于行业标准的性能提升。目前基于 20nm 标准，可以提供每颗芯片 1Gb-8Gb 容量，2025 年将有 16nm 标准。引入硅通孔（TSV）可进一步增强性能，改善信号完整性、电源完整性、以 9 um pitch 缩小 IO 的面积和较佳的散热（CUBE 置下、SoC 置上时）。

CUBE 的 IO 速度于 1K IO 可高达 2Gbps，当与 28nm 和 22nm 等成熟工艺的 SoC 集成， CUBE 则可到达 32GB/s 至 256GB/s 带宽，相当于 HBM2 带宽, 也相当于4至32个 LP-DDR4x 4266Mbps x16 IO。

SoC（不带 TSV，置上）堆叠在 CUBE（带 TSV，置下）上。如果去除 TSV 区域损失，其芯片尺寸可能会更小。能够为边缘 AI 设备带来更明显的成本优势。

行业应用方面，摄像头ISP芯片、家用或行业用IP Camera，给CUBE带来很大的机会。

兆易创新基于堆叠内存的定制化方案

在定制化存储方面，兆易创新表示，已经有先导客户的先导产品实现发布和落地。产品实现的性能取得非常好的效果。这对于整个技术和行业的发展都起到了标志性的作用。随着第一个产品的推出和落地，正式开启定制化存储，或者说堆叠方案在端侧应用的大门。

兆易创新积极与逻辑芯片客户合作，覆盖多种端侧的应用。目前已经有一些项目落地，公司也向产业合作伙伴和业界证明公司定制化存储带来的带宽、功耗、能效等方面的优势和成果。明年以后有望看到定制化存储解决方案，在包括AIPC、手机、端侧智能设备、汽车等领域实现样品推出和芯片的量产。

兆易创新在定制化存储方面的优势包括：一是，先发优势。公司在实际推进团队组建和项目开发，以及和客户共同推出产品方面处于行业领先地位。随着在研项目的增加和客户的产品迭代，公司可以巩固和扩大先发优势，形成良性循环。

二是，与战略供应商长期良好稳定的关系，给公司带来产能保障和制程方面的优势。高度定制化的存储解决方案，需要贴近逻辑芯片客户的需求，与之进行联合研发。

2024年7月，兆易创新联合北京青耘智凌、青耘智帆、青耘智阔三家关联企业共同投资设立北京青耘科技有限公司，其中兆易创新出资2100万元，持股77.78%。该公司的成立旨在拓展定制化存储解决方案等创新业务领域。2025年8月国家知识产权局信息显示，北京青耘科技有限公司取得一项名为“存储器控制器和三维堆叠存储器”的专利，授权公告号CN120199312B，申请日期为2025年05月。

摩根士丹利最新研报表示，WoW（晶圆堆叠）技术采用3D封装解决方案，让芯片“上下叠加”，WoW能够实现10倍内存带宽提升和90%功耗降低，有望破解边缘AI发展瓶颈。报告称，兆易创新与长鑫存储合作开发，4层堆叠已成熟，8层堆叠也在路线图中。

北京君正3D DRAM研发进展顺利

北京君正表示，大模型的兴起给边缘侧带来市场机会，算力可能会需要16T甚至更高，所以公司也开始对计算芯片领域进行整体规划；同时大模型需要更高的带宽和更大容量的存储器，所以公司开展3D DRAM 产品的研发。

3D DRAM仍在研发，进展基本符合预期。作为定制化产品，能满足客户个性化需求，相比HBM在带宽和功耗支持上表现更佳，不少客户对此感兴趣，但整体市场尚处探索阶段。

瑞芯微新品内置超高带宽DRAM、翱捷科技就3D DRAM展开项目合作

一些厂商基于3D堆叠内存的算力芯片已经开始积极部署或落地。

例如，今年7月瑞芯微在第九届开发者大会上正式发布该系列的首颗端侧算力协处理器RK182X，内置自研高神经网络算力和高带宽嵌入式存储，能够较好地满足端侧模型部署的算力、存力、运力三者动态平衡需求，高效支持3B、7B等端侧主流参数的大语言模型及多模态模型部署，面向汽车座舱、智能家居、教育、办公与会议、机器人、机器视觉、边缘网关、工业智能制造等多场景应用。目前已获得多个目标场景头部客户的合作意向，产品已进入送样阶段。

在被问及新型 3D DRAM 存储是最近的市场热点，翱捷科技的相关研发计划时，公司表示，随着大数据、人工智能、高性能计算等领域的快速发展，对高速、大容量、低延迟内存的需求不断增长。我们已经对相关领域进行先期研发，并已经在定制业务上和相关公司进行了深入的项目合作。同时，本公司也在积极探索在自研端侧产品中除手机之外的扩展应用，包括车载、AI 视觉、机器人小脑等，以提升本公司产品的竞争力。

另外，根据上海市科创政策服务网，上海市发展引导资金2025年第一批拟支持项目名单中显示，翱捷科技“3D DRAM堆叠封装的云端大算力芯片设计平台建设”在列。

不过，针对近期的传闻，“华邦电子提供存储芯片技术与CUBE方案支持，北京君正基于自研的NPU和AI算法，将华邦的存储技术整合到端侧AI芯片中。”北京君正公开回应该信息中所说的合作情况不属实。

小结：

摩根士丹利预计，WoW（晶圆堆叠）技术市场规模将从2025年的1000万美元激增至2030年的60亿美元，复合年增长率达257%。

兆易创新认为，定制化存储市场空间的弹性非常大。目前还处于技术得到市场认可，并且有早期产品推出的阶段，我们判断这会对整个市场起到非常好的示范效应和推动作用。目前还无法对总市场规模做准确的判断。希望定制化存储能实现跟标准接口的利基存储可比的营收规模的体量。

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