Texas Instruments TPS281C100单通道智能高侧开关专为满足工业控制系统要求而设计。低RON可最大程度地降低器件功耗,驱动高达60V DC工作范围内的宽范围输出负载电流,从而提高系统稳健性。
数据手册:*附件:Texas Instruments TPS281C100单通道智能高侧开关数据手册.pdf
该器件集成了电流限制、热关断和输出钳位等保护功能。在短路等故障事件期间,这些功能可提高系统稳健性。TPS281C100实现了可调电流限制电路,可减少驱动大容性负载时的浪涌电流,同时最大限度地减少过载电流,从而增强系统的可靠性。为驱动高浪涌电流负载(例如快速充电电容负载或灯),TPS281C100A实现了具有更高允许电流水平的浪涌电流时间段。该器件提供精确的负载电流检测,可改进负载诊断。这些改进包括过载和开路负载检测,从而实现更好的预测性维护。
Texas Instruments TPS281C100采用小型14引脚4.4mm×5mm HTSSOP引线封装(引脚间距为0.65mm)和12引脚4mm×4mm WSON封装(引脚间距为0.5mm),最大限度地减少了PCB占位面积。
特性
- 宽工作电压范围:6 V至60 V
- 低R
ON:83mΩ(典型值)、168mΩ(最大值) - 通过可调限流提高系统级可靠性
- 1A至5A(固定0.5A)
- 精确电流检测
- 标准检测模式:±4%(1A时)
- 高精度检测模式:±12.5%(4mA时)
- 集成式感应放电钳:>64V
- 低静态电流 (I
q):<1.5mA - 工作结温:-40°C至125°C
- 输入控制:1.8V、3.3V和5V逻辑兼容
- 集成故障检测电压调节,用于ADC保护
- 断态开路负载检测
- 热关断和热振荡检测
- 增强型电快速瞬变(EFT),符合IEC61000-4-4
- 器件保持关断状态时输出电容为22nF、EFT为±2kV(DIAG_EN为低电平)
- 14引脚热增强型TSSOP封装
- 12引脚热增强型WSON封装
功能框图
TPS281C100智能高侧开关技术解析与应用指南
一、产品概述
TPS281C100是德州仪器(TI)推出的一款60V/100mΩ单通道智能高侧开关,专为工业控制系统设计。该器件采用14引脚HTSSOP和12引脚WSON封装,具有以下核心优势:
- ?宽电压范围?:6-60V工作电压,适应严苛工业环境
- ?低导通电阻?:典型值83mΩ(最大值168mΩ)
- ?精准电流检测?:标准模式±4%精度@1A,高精度模式±12.5%精度@4mA
- ?集成保护功能?:包含热关断、输出钳位和可调电流限制
二、关键特性分析
1. 电流检测系统
- ?双模式检测?:
- 标准模式(KSNS1):电流比800:1,适合1A-4A检测
- 高精度模式(KSNS2):电流比24:1,支持4mA-20mA小电流检测
- ?自适应输出?:SNS引脚输出电压随DIAG_EN电压自动缩放(3.3V-5V),无需外部齐纳二极管保护ADC
2. 可编程电流限制
- ?外部调节?:通过ILIM引脚电阻设置(1A-5A范围)
- 计算公式:RILIM = KCL/ICL(典型KCL=52.6 A×kΩ)
- ?内部保护?:默认0.5A限流,当ILIM电阻<5kΩ或>150kΩ时激活
- ?启动优化?:A版本特有启动期间高电流模式(ILIM_STARTUP=6.5A,持续12ms)
3. 保护机制
- ?电感负载处理?:集成>64V的DS钳位,支持单脉冲400mJ能量耗散
- ?EFT抗扰度?:符合IEC61000-4-4标准,可承受±2kV瞬变
- ?故障诊断?:包含开路检测(关断状态下)、短路保护和热关断(160°C)
三、PCB布局建议
- ?热管理设计?:
- WSON封装:4层板设计,热阻RθJA=36.9°C/W
- 散热焊盘需通过多个过孔连接至地层
- 功率走线宽度≥2mm(1oz铜厚)
- ?EMI优化?:
- VS引脚就近布置100nF+4.7nF去耦电容
- SNS信号线需配置1nF滤波电容
- 敏感信号远离SW节点
四、故障诊断流程
故障现象 | 诊断引脚状态 | 可能原因 |
---|---|---|
FAULT持续低电平 | SNS=VSNSFH | 过流/短路 |
FAULT间歇低电平 | SNS周期性跳变 | 热关断 |
无故障但SNS=0 | OL_ON=HI且IOUT<20mA | 高精度模式未激活 |
输出电压异常 | DIAG_EN=HI时VOUT≈VS | 开路负载 |
五、选型对比
参数 | TPS281C100A | TPS281C100B |
---|---|---|
启动电流特性 | 支持6.5A启动涌流 | 无特殊启动模式 |
最小限流 | 0.96A(典型) | 0.96A(典型) |
封装选项 | DNT/PWP | DNT/PWP |
六、设计注意事项
- ?GND网络设计?:
- 反向保护推荐4.7kΩ电阻并联100mA二极管
- 避免使用纯电阻网络导致地电位偏移
- ?动态限流应用?:
- 可通过MCU PWM控制ILIM电阻实现
- 响应时间典型值200μs
- ?热插拔保护?:
- 需在EN信号线串联10kΩ电阻(RPROT)
- 配合22nF Cout可抑制热插拔振荡
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