江波龙自研UFS4.1主控芯片，顺序读取速率高达4350MB/s，性能对标主流产品

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近年来，江波龙自研主控芯片取得较大的进展。截止至2025年7月底，江波龙主控芯片全系列产品累计实现超过8000万颗的批量部署，并且部署规模仍在保持快速增长。

据了解，江波龙自研主控产品覆盖移动存储和嵌入式存储，其中移动存储自研主控主要有SD Controller WM5000，USB3.2 Controller WM3000；嵌入式存储自研主控包括eMMC Controller WM6000，UFS2.2 Controller WM7200，UFS3.1 Controller WM7300以及UFS4.1 Controller WM7400等。

目前江波龙各系列主控芯片采用领先于主流主控芯片的头部 Foundry 工艺，采用自研核心IP，搭配公司自研固件算法，使得公司各类存储产品具有明显的性能和功耗优势。

其中，江波龙自研UFS4.1主控芯片WM7400，采用国际先进Foundry的工艺制造，融合多项高可靠特性，可同时支持TLC和QLC NAND Flash。凭借高性能芯片架构和更优的H8待机功耗及能效比，搭载WM7400主控芯片的UFS4.1产品顺序读取速率高达4350MB/s，随机读写速度高达630K/750K IOPS，容量最高可达2TB。整体性能显著优于市场主流产品。随着AI 终端对于存储器性能提出更高性能要求，公司也将筹备下一代主控芯片的研发。

JEDEC 固态技术协会于今年1 月宣布推出通用闪存存储标准 UFS 4.1（JESD220G）及其配套的主机控制器接口标准 UFSHCI 4.1（JESD223F），进一步提升移动设备性能。

新标准在兼容 UFS 4.0 硬件的同时，进一步提升了数据访问速度和整体性能，尤其针对移动应用和计算系统的高性能低功耗需求。UFS 4.1 标准主要改进包括：

主机启动碎片整理（Host-Initiated Defragmentation）：通过主机启动的数据碎片整理，优化读取流量，提高内存维护效率。

调整 WriteBooster 缓冲区和 Partial Flush：支持主机请求调整缓冲区大小、数据固定和更精细地刷新，最大化系统吞吐量。

永久可启动逻辑单元：配置逻辑单元为永久可启动。

RPMB 身份验证：通过 RPMB 身份验证，确保安全执行供应商特定命令。

增强的异常类型：提高恢复速度、改进运行状况通知，更及时处理错误。

更高精度增强型内存逻辑单元：为四级单元 (QLC) NAND 的应用铺平道路。

向后兼容性：保持与 UFS 3.1 和 3.0 的兼容性，支持混合系统应用。

UFS 4.1 采用了 MIPI? Alliance 的 M-PHY? 5.0 和 UniPro? 2.0 规范，让 UFS 接口带宽翻倍，读写速度最高可达约 4.2 GB/s。

此前，江波龙已与闪迪达成合作，将基于江波龙在主控芯片、固件研发和封测制造等方面的领先能力，以及闪迪在NAND Flash技术和系统设计等领域的领先优势，面向移动及IOT市场推出定制化的高品质UFS产品及解决方案。依托自研UFS主控芯片的强劲性能，以及与晶圆原厂的深度合作，江波龙的UFS产品有望更大规模导入Tier1客户供应链中，进一步扩大公司在嵌入式存储市场的领先地位，提升其在高端存储的市场占有率。全年来看自研主控芯片部署规模将实现放量增长。