0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

无锡半导体展:汇专全新升级超声机床实现CVD碳化硅喷淋盘加工新突破

爱云资讯 ? 2025-09-01 15:13 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

9月4-6日,汇专将携两款全新机型——超声绿色雕铣加工中心UEM-600 PLUS、超声双主轴立式加工中心 UDV-550重磅亮相第十三届半导体设备与核心部件及材料展(CSEAC 2025),展示半导体行业超声高效加工解决方案,诚邀您莅临B3-339展位参观交流!

wKgZPGi1R4iAVSE_AAOlWmdhgXA862.png

CSEAC 2025以“做强中国芯,拥抱芯世界”为主题,展馆面积超60,000㎡,参展企业逾1,100家,涵盖晶圆制造设备、封测设备、核心部件、材料等五大主题展区,将横跨七个展馆,全方位呈现半导体产业的技术革新与生态活力。

一、汇专展位为何不容错过?

两款全新机型展会首秀:汇专将推出全新机型超声绿色雕铣加工中心UEM-600 PLUS、超声双主轴立式加工中心 UDV-550,助力半导体行业客户解锁精密制造新篇章。

丰富零部件产品阵容:集中展示超声刀柄、超硬刀具、冷压刀柄、冷压机、精密转台,全面覆盖高效精密加工需求。

沉浸式实操体验:在超声振幅测量与超声振动体验区、微孔放大观察区,观众不仅能亲身体验汇专超声设备,还能通过显微镜观察整体PCD刀具加工后的工件微小孔表面质量情况。

幸运抽奖活动:打卡汇专展位,参与幸运大转盘、欢乐投一骰活动,还有机会赢取超高清投影仪、便携茶具套装、大容量充电宝等丰厚礼品!

二、机床新品速递

(1)超声绿色雕铣加工中心UEM-600 PLUS

wKgZPGi1R4iAEETcAAYRYFdAMM8569.png

产品亮点:

●超声电主轴最高转速40,000rpm

●全行程定位精度≤2.5μm,重复定位精度≤1.8μm

●Z轴采用直线电机,有效提升加工效率和刀具寿命

●配备刀具监控系统,可监测小刀具在加工过程中的磨损和断刀情况

●光栅尺全闭环控制

迷宫结构,三层防护

(2)超声双主轴立式加工中心UDV-550

wKgZO2i1R4eATElXAAPEehBnH5o059.png

产品亮点

●配置双超声主轴,独立控制,一次装夹实现双零件同步加工

●大扭矩伺服电机,具备高精度与高动态响应性

●导轨丝杠防护钣金采用迷宫设计,多层防护

●采用滚柱导轨,刚性高

三、汇专方案突破传统加工桎梏

CVD(化学气相沉积)碳化硅材料因其具有出色的热、电和化学性质的独特组合,被广泛应用于半导体刻蚀设备零部件加工。然而,CVD碳化硅材料属于难加工的硬脆材料,在传统加工过程中易产生崩缺现象,并且刀具寿命短,刀具容易折断并残留在孔内,导致工件报废。

喷淋盘是芯片制造设备刻蚀机的核心部件之一。在 CVD碳化硅喷淋盘的加工中,D1.0/D0.5mm阶梯孔的加工任务更是极具挑战性,其工件硬度高达HV3,150,加工孔径小,钻削加工难度大,对加工精度和稳定性要求极高。目前,高精度碳化硅喷淋盘仍需要依赖国外进口,加工周期漫长、成本居高不下。

wKgZO2i1R4iAAQTjAAYUtkMEDRo717.png

材料:CVD碳化硅(HV3,150)

加工特征:D1.0*5.8mm / D0.5*5.4mm阶梯孔

对此,汇专凭借在高端超声绿色数控机床及关键部件的研制经验,推出了针对性的半导体行业超声高效加工解决方案。采用汇专超声绿色雕铣加工中心UEM-600 PLUS,搭配自主研发的超声振幅测量仪、超声冷压刀柄及高效飞速PCD钻头进行加工,单孔加工时间从11分25秒缩短至5分58秒,加工效率提升47.8%,刀具寿命提升160%,加工成本降低50%,显微镜放大至50倍检测,孔口崩边量≤0.02mm。

wKgZPGi1R4eAACr6AAFXKAcYsf8539.png

除了在CVD碳化硅喷淋盘加工上实现创新突破,该系列加工中心搭配汇专超声加工技术和整体PCD刀具的解决方案,在硬脆材料、金属材料、工程塑料等超深微孔及高精度质量加工中具有明显优势,成功加工了单晶硅曲面电极、多晶硅栅极环、石英玻璃喷淋盘、石英轻量化反射镜镜片、蓝宝石工件、不锈钢工件、工程塑料探针卡等半导体零件,有效提升加工效率,改善工件表面质量,实现连续稳定加工。

wKgZO2i1R4iAcCBFAAQyMWu6BFs642.png

欲了解更多创新产品及解决方案,9月4-6日,敬请莅临无锡太湖国际博览中心B3-339汇专展位。

wKgZO2i1R4mAZHk4AAJD2AAqi08633.png
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29347

    浏览量

    245980
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3150

    浏览量

    51006
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圆剥离成功,打破国外垄断!

    9月8日消息,中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业,于近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备,成功完成了12英寸
    的头像 发表于 09-10 09:12 ?346次阅读

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了
    的头像 发表于 08-27 16:17 ?525次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭
    的头像 发表于 07-15 15:00 ?449次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用 一、引言 在电力电子技术飞速发展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 凭借其卓越的性能,成为推动高效能电力转换的关键器件
    的头像 发表于 06-10 08:38 ?428次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    热泵与空调全面跨入SiC碳化硅功率半导体时代:能效革命与产业升级

    热泵与空调全面跨入SiC碳化硅功率半导体时代:能效革命与产业升级 在“双碳”目标的驱动下,商用空调和热泵行业正经历一场静默却深刻的技术革命。碳化硅(SiC)功率
    的头像 发表于 06-09 07:07 ?390次阅读
    热泵与空调全面跨入SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半导体</b>时代:能效革命与产业<b class='flag-5'>升级</b>

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术
    的头像 发表于 06-07 06:17 ?534次阅读

    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

    从Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起:国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落:技术霸权崩塌的深层逻辑 作为
    的头像 发表于 05-21 09:49 ?690次阅读
    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半导体</b>崛起

    先进碳化硅功率半导体封装:技术突破与行业变革

    本文聚焦于先进碳化硅(SiC)功率半导体封装技术,阐述其基本概念、关键技术、面临挑战及未来发展趋势。碳化硅功率半导体凭借低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性,在移动应用功率密度提升
    的头像 发表于 04-08 11:40 ?950次阅读
    先进<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半导体</b>封装:技术<b class='flag-5'>突破</b>与行业变革

    全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

    SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:
    的头像 发表于 03-13 00:27 ?447次阅读

    碳化硅半导体中的作用

    碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅半导体中的主要作
    的头像 发表于 01-23 17:09 ?1832次阅读

    安森美在碳化硅半导体生产中的优势

    此前的文章“粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战”中,我们讨论了宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战,本文为白皮书第二部分,将重点介绍碳化硅生态系统的不断演进及安森美(onsemi)在
    的头像 发表于 01-07 10:18 ?677次阅读

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    氧化层?如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解,揭开这一技术领域的神秘面纱。
    发表于 01-04 12:37

    碳化硅半导体产业中的发展

    碳化硅(SiC)在半导体产业中的发展呈现出蓬勃的态势,其独特的物理和化学性质使其成为新一代高性能半导体材料的佼佼者。以下是对碳化硅半导体
    的头像 发表于 11-29 09:30 ?1179次阅读

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

    英寸和8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。 2024年10月16至18日,ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯(SEMiBAY 2024)。在国际化合物半导体产业发展论坛
    发表于 10-17 14:21 ?371次阅读
    ASM推出<b class='flag-5'>全新</b>PE2O8<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延机台

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

    英寸和8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。 2024年10月16至18日,ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯(SEMiBAY 2024)。在国际化合物半导体产业发展论坛
    发表于 10-17 14:11 ?618次阅读
    ASM推出<b class='flag-5'>全新</b>PE2O8<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延机台