都是整流作用，肖特基二极管与整流二极管有什么区别呢？

肖特基二极管和整流二极管（通常指硅PN结整流二极管）都是用于整流的二极管，但它们在结构、工作原理和性能特性上有显著区别。简单来说，肖特基二极管是一种特殊类型的整流二极管，它以金属-半导体结代替了PN结，从而获得了更低的导通压降和更快的开关速度，但代价是更高的反向漏电流和更低的反向击穿电压。具体详情，二极管厂家东沃电子为您娓娓道来。

一、核心结构和工作原理

1）结构：整流二极管是由P型硅和N型硅紧密结合形成的 PN 结。肖特基二极管是由金属（如铂、钨、钼、金等）与N型半导体（通常是硅，也可以是砷化镓等）接触形成的 金属-半导体结 (肖特基势垒)，没有 P 型半导体。

2）工作原理：整流二极管正向偏置时，多子（P区的空穴，N区的电子）扩散越过耗尽层，形成电流；反向偏置时，耗尽层变宽，只有很小的少子漂移电流（反向饱和电流）。肖特基二极管正向偏置时，半导体（N型）中的多数载流子（电子）越过势垒进入金属，形成电流；金属中的电子是多数载流子，但向半导体注入空穴的能力极弱（势垒很高）。

3）载流子类型：整流二极管正向导通时，同时涉及电子和空穴（多子和少子）的运动。肖特基二极管正向导通主要依赖于N型半导体中的电子（多数载流子）越过势垒进入金属，基本没有少子（空穴）的注入和存储。

二、关键参数

1）正向导通压降 (Vf)：整流二极管相对较高，硅PN结二极管通常在 0.7V - 1.1V 左右（取决于电流大小）。肖特基二极管显著更低，通常在 0.15V - 0.45V 左右（取决于电流大小和金属材料），这是肖特基二极管最主要的优势。更低的 Vf 意味着在相同正向电流下，肖特基二极管上的功率损耗 (P = Vf * If) 更小，效率更高，尤其适用于低压、大电流的应用（如开关电源的输出整流）。

2）反向恢复时间 (Trr)：整流二极管Trr较长，在从正向导通切换到反向截止时，存储在PN结耗尽区边缘的少数载流子需要被“清除”或复合掉，这会造成一个显著的反向电流尖峰和较长的反向恢复时间（从几十纳秒到几微秒，快恢复二极管 FRD 会优化到纳秒级）。肖特基二极管Trr极短或几乎为零，因为它是多数载流子器件，几乎没有少数载流子存储电荷。当外加电压从正向变为反向时，电流几乎可以瞬间关断（通常在皮秒到纳秒量级）。这是肖特基二极管的另一大核心优势。极短的反向恢复时间使得肖特基二极管在高频开关电路（如开关电源、DC-DC转换器、射频检波）中性能优异，能减少开关损耗、降低EMI（电磁干扰），并允许工作在更高的频率。

3）反向漏电流 (Ir)：整流二极管Ir相对较低（在室温下，nA到μA量级，取决于器件）。肖特基二极管Ir显著更高（在室温下，μA到mA量级，取决于器件），而且其对温度非常敏感，随温度升高呈指数级增长。高反向漏电流是肖特基二极管的主要缺点，它会导致额外的静态功耗，在高温或高反向电压下尤其严重，限制了其在需要低漏电流或高温环境下的应用。

4）反向电压 (Vrrm)：整流二极管Vrrm较高，可以轻松做到几百伏甚至上千伏（如 1N4007 是 1000V）。肖特基二极管Vrrm相对较低，传统的硅肖特基二极管通常在 100V 以下。虽然现在有高压肖特基（如 150V，200V，300V），但相对于同等电流等级的PN结二极管，其反向电压仍然较低，且成本更高、漏电流更大。碳化硅肖特基二极管可以做到更高电压（600V, 1200V 甚至更高），但成本也显著增加。肖特基Vrrm较低，限制了其在高压整流场合的应用，高压场合通常选用 PN 结快恢复二极管或碳化硅肖特基/结势垒肖特基二极管。

三、应用场景

选整流二极管：应用工作电压较高（> 100V），或者对反向漏电流要求非常严格（低功耗应用、高温环境），或者成本是首要考虑因素，且对导通压降和开关速度要求不高（如工频50/60Hz整流）时。对于中等频率开关应用，如果需要比标准整流管更快的速度但电压较高或漏电要求低，就选择快恢复二极管。

选肖特基二极管： 应用需要高效率（低导通损耗） 或 高频高速开关（低开关损耗），并且工作电压较低（通常 < 100V），同时对反向漏电流要求不太苛刻时。典型应用：开关电源（SMPS）的输出整流（5V, 3.3V, 12V等）、DC-DC转换器中的续流二极管、高频整流、射频检波、数字逻辑电路的钳位保护。

由此可知，肖特基二极管和整流二极管是互补的二极管。肖特基凭借其超低正向压降和超快开关速度在低压、高频、高效率领域占据主导地位。整流二极管则凭借其高反向电压、低反向漏电流和低成本在高压和工频整流应用中不可或缺。具体选择哪种二极管取决于具体的应用需求，特别是工作电压、工作频率、效率要求和成本预算。想了解更多有关肖特基二极管和整流二极管参数、选型、应用等方面的知识，可咨询东沃产品工程师！