Texas Instruments SN74LV2T74/SN74LV2T74-Q1双D型触发器包含两个独立的D型正沿触发触发器。预设(PRE)输入处的低电平将输出设置为高电平。清除 (CLR) 输入端的低电平将输出复位为低电平。异步预设和清除功能不依赖于其他输入的电平。当PRE和CLR不活动(高电平)时,满足设置时间要求的数据(D)输入端的数据被传输到时钟(CLK)脉冲正沿上的输出(Q, Q)。时钟触发发生在电压电平,并且与输入时钟(CLK)信号的上升时间不直接相关。在保持时间间隔之后,数据(D)输入处的数据可以在不影响输出(Q, Q)处电平的情况下改变。输出电平以电源电压(V CC )为基准,支持1.8V、2.5V、3.3V和5V CMOS电平。
数据手册:
该输入经设计,具有较低阈值电路,支持较低电压CMOS输入的升压转换(例如1.2V输入至1.8V输出或1.8V输入至3.3V输出)。此外,5V容限输入引脚可实现降压转换(例如3.3V至2.5V输出)。Texas Instruments SN74LV2T74-Q1器件符合AEC-Q100标准,适合汽车应用。LSN74LV2T74-EP器件具有金键合线、–55至+105°C的温度范围和SnPb引线涂层。
特性
- 1.8V至5.5V的宽工作范围
- 单电源电压转换器(参阅LVxT增强型输入电压):
- 上行转换
- 1.2V至1.8V
- 1.5V至2.5V
- 1.8V-3.3V
- 3.3V至5.0V
- 降压转换
- 5.0V、3.3V、2.5V至1.8V
- 5.0V、3.3V至2.5V
- 5.0V至 3.3V
- 上行转换
- 5.5V容限输入引脚
- 支持标准引脚排列
- 使用5V或3.3VV
CC时速度高达150Mbps - 闭锁性能超过250mA,符合JESD 17标准
功能框图
SN74LV2T74双路D型触发器技术解析与应用指南
一、产品概述
SN74LV2T74是德州仪器(TI)推出的双路D型正边沿触发器,属于LVxT系列逻辑器件,具有集成电平转换功能。该器件采用14引脚WQFN和TSSOP封装,具有以下核心特性:
- ?宽工作电压范围?:1.8V至5.5V
- ?集成电压转换?:支持1.2V至5V双向电平转换
- ?高速性能?:最高传输速率达150Mbps(5V供电时)
- ?低功耗?:静态电流典型值1.35μA
二、关键特性与技术优势
1. 核心性能参数
- ?逻辑功能?:双路独立D型触发器,正边沿触发
- ?输入兼容性?:5.5V耐受输入,支持TTL/CMOS电平
- ?传输延迟?:
- 5V供电:典型4.8ns(CL=15pF)
- 3.3V供电:典型7.6ns
- 1.8V供电:典型14.8ns
- ?输出驱动能力?:±8mA(高/低电平)
2. 电压转换能力
该器件支持以下双向转换组合:
- ?上转换?:
- 1.2V→1.8V
- 1.8V→3.3V
- 2.5V→5V
- ?下转换?:
- 5V→3.3V
- 3.3V→2.5V
- 5V→1.8V
3. 保护功能
- ?ESD保护?:2000V人体放电模型(HBM)
- ?闭锁性能?:超过250mA(JESD 17标准)
- ?热关断保护?:防止过热损坏
三、功能描述
1. 逻辑功能框图
每个通道包含:
- 1个数据输入(D)
- 1个时钟输入(CLK,上升沿触发)
- 1个异步预设输入(PRE,低有效)
- 1个异步清除输入(CLR,低有效)
- 1个输出(Q)
- 1个反相输出(Q)
2. 真值表
PRE | CLR | CLK | D | Q | Q |
---|---|---|---|---|---|
L | H | X | X | H | L |
H | L | X | X | L | H |
L | L | X | X | H* | H* |
H | H | ↑ | H | H | L |
H | H | ↑ | L | L | H |
H | H | L | X | Q0 | Q0 |
注:H=高电平,L=低电平,X=任意状态,↑=上升沿,*=不确定状态
四、典型应用设计
1. 时钟分频应用
将Q输出反馈连接到D输入,可将时钟频率二分频:
- 每个时钟上升沿触发输出状态翻转
- 输出频率=时钟频率/2
2. 开关消抖电路
典型设计步骤:
3. 设计注意事项
- ?未使用输入处理?:
- 所有未使用的输入端必须连接到VCC或GND
- 推荐使用10kΩ上拉/下拉电阻
- ?布局指南?:
- 保持时钟走线短而直(长度<25mm)
- 对关键信号实施地平面屏蔽
- 避免90°拐角,采用45°或圆弧走线
五、性能优化建议
- ?降低传输延迟?:
- 使用5V供电可获得最快速度(4.8ns)
- 限制负载电容<50pF
- 优化PCB布局减少寄生参数
- ?提高抗噪能力?:
- 利用内置施密特触发器特性
- 增加电源去耦电容
- 采用星型接地拓扑
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