0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

超薄碳化硅衬底切割自动对刀精度提升策略

新启航半导体有限公司 ? 2025-07-02 09:49 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

超薄碳化硅衬底(<100μm)切割自动对刀技术的精度提升策略

一、引言

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,以其高硬度、高热导率和优异的电气性能,在电力电子新能源汽车及光伏等领域应用广泛。在 SiC 衬底加工中,超薄(<100μm)碳化硅衬底切割面临诸多挑战,自动对刀技术精度对切割质量与效率影响重大,提升其精度成为行业关键问题。

二、影响自动对刀精度的因素剖析

2.1 光学系统偏差

对刀系统的光学元件若存在质量瑕疵,如透镜的折射率不均匀、反射镜表面不平整,会导致激光束传播路径偏移,使对刀光斑位置不准。并且,光学组件的安装与校准误差,哪怕仅有微小的光轴不重合,也会在对刀过程中被放大,造成显著的对刀偏差 。例如,使用低质量透镜时,激光束可能在传播 100mm 后产生 10μm 的偏移,这对于超薄碳化硅衬底切割来说,足以导致切割位置出现偏差,影响产品质量。

2.2 切割环境干扰

温度波动会使切割设备的机械部件热胀冷缩,改变对刀系统的结构尺寸与相对位置。湿度变化可能使光学镜片起雾,影响激光束的传输与聚焦。此外,外界振动通过基础传递至切割设备,导致对刀装置抖动,难以获取稳定、准确的对刀信号 。在实际生产中,当环境温度在一天内波动 5℃时,设备的关键部件可能会产生 5 - 10μm 的尺寸变化,从而干扰对刀精度。

2.3 工件特性差异

不同批次的碳化硅衬底,其表面粗糙度、反射率等光学特性存在差异。超薄衬底因厚度极薄,在切割力作用下易产生变形,导致对刀时衬底实际位置与理论位置不符,增加对刀误差 。比如,表面粗糙度较大的衬底,可能使激光反射信号产生散射,让对刀系统误判位置,造成对刀偏差。

三、精度提升策略探讨

3.1 优化光学系统

采用高折射率、低色散的优质光学元件,如萤石透镜,减少光线传播中的折射偏差与色差,提升激光束聚焦精度。同时,定期运用自准直仪、干涉仪等专业设备,对光学组件进行精密校准,确保光轴严格对齐,降低因组件安装与使用损耗带来的光轴偏差 。还可引入自适应光学系统,通过波前传感器实时监测激光束波前畸变,利用变形镜快速补偿,维持激光在碳化硅衬底上的精准聚焦 。据测试,使用优质光学元件并配合自适应光学系统,可将激光束的聚焦精度提升至 ±1μm 以内,大大提高对刀准确性。

3.2 稳定切割环境

安装高精度温湿度调控设备,将切割车间的温度控制在 22±1℃,相对湿度维持在 40% - 60%,减少环境温湿度变化对设备与光学元件的影响。把切割设备放置在配备空气弹簧、橡胶减振垫的隔振平台上,隔绝外界振动传入,为对刀过程提供稳定环境 。实践表明,在稳定的温湿度与隔振环境下,对刀精度的稳定性可提高 50% 以上。

3.3 自适应对刀算法

开发基于图像识别、激光三角测量原理的自适应对刀算法。在对刀前,算法快速扫描碳化硅衬底表面,根据表面特征与预设模型精确调整对刀位置。在切割过程中,持续监测衬底状态,实时补偿因切割力、热效应导致的衬底变形与位置变化,确保对刀精度的动态稳定 。经实验验证,采用自适应对刀算法后,对刀精度在切割全过程中的偏差可控制在 ±2μm 以内,显著优于传统对刀方式。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上为新启航实测样品数据结果)

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用:?

对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面;?

点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量;?

通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上为新启航实测样品数据结果)

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

wKgZPGg-jKqAYFs2AAGw6Lti-7Y319.png

(以上为新启航实测样品数据结果)

此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上为新启航实测样品数据结果)

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器,摆脱传统SLD光源对“主动式减震平台”的依赖,凭借卓越抗干扰性实现小型化设计,还能与EFEM系统集成,满足产线自动化测量需求。运动控制灵活,适配2-12英寸方片和圆片测量。

wKgZO2g-jLKAeN9uAAT_9vEy4Nk849.png

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5181

    浏览量

    130121
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3079

    浏览量

    50617
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底
    的头像 发表于 07-15 15:00 ?210次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及<b class='flag-5'>切割</b>要点

    碳化硅衬底切割自动系统与进给参数的协同优化模型

    一、引言 碳化硅(SiC)衬底凭借优异性能在半导体领域地位关键,其切割加工精度和效率影响产业发展。自动
    的头像 发表于 07-03 09:47 ?213次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b><b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>自动</b>对<b class='flag-5'>刀</b>系统与进给参数的协同优化模型

    基于机器视觉的碳化硅衬底切割自动系统设计与厚度均匀性控制

    加工带来了极大挑战。传统切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均匀性差等问题,严重制约了 SiC 器件的性能与生产规模。在此背景下,开发基于机器视觉的碳化硅
    的头像 发表于 06-30 09:59 ?511次阅读
    基于机器视觉的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b><b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>自动</b>对<b class='flag-5'>刀</b>系统设计与厚度均匀性控制

    自动技术对碳化硅衬底切割起始位置精度提升及厚度均匀性优化

    摘要:碳化硅衬底切割对起始位置精度与厚度均匀性要求极高,自动技术作为关键技术手段,能够有效
    的头像 发表于 06-26 09:46 ?392次阅读
    <b class='flag-5'>自动</b>对<b class='flag-5'>刀</b>技术对<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b><b class='flag-5'>切割</b>起始位置<b class='flag-5'>精度</b>的<b class='flag-5'>提升</b>及厚度均匀性优化

    碳化硅衬底切割进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型

    摘要:碳化硅衬底切割过程中,进给量与磨粒磨损状态紧密关联,二者协同调控对提升切割质量与效率至关重要。本文深入剖析两者相互作用机制,探讨协同调
    的头像 发表于 06-25 11:22 ?361次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b><b class='flag-5'>切割</b>进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型

    基于进给量梯度调节的碳化硅衬底切割厚度均匀性提升技术

    碳化硅衬底切割过程中,厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化,基于进给量梯度调节的方法为
    的头像 发表于 06-13 10:07 ?276次阅读
    基于进给量梯度调节的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b><b class='flag-5'>切割</b>厚度均匀性<b class='flag-5'>提升</b>技术

    切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言 在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅
    的头像 发表于 06-12 10:03 ?272次阅读
    <b class='flag-5'>切割</b>进给量与<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    碳化硅衬底的生产过程

    碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高熔点、高热导率和化学稳定性,在半导体产业中得到了广泛的应用。SiC衬底是制造高性能SiC器件的关键材料,其生产过程复杂
    的头像 发表于 02-03 14:21 ?1145次阅读

    碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

    一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要
    的头像 发表于 01-23 10:30 ?286次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> BOW/WARP 的影响

    不同的碳化硅衬底的吸附方案,对测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

    在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上
    的头像 发表于 01-14 10:23 ?400次阅读
    不同的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>的吸附方案,对测量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> BOW/WARP 的影响

    碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响

    在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,
    的头像 发表于 01-13 14:36 ?394次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> BOW/WARP 的影响

    用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构

    一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效
    的头像 发表于 12-26 09:51 ?465次阅读
    用于<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>TTV控制的硅棒安装机构

    降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法

    一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛(CMP)等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影
    的头像 发表于 12-25 10:31 ?561次阅读
    降低<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>TTV的磨片加工方法

    碳化硅衬底修边处理后,碳化硅衬底TTV变化管控

    一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤,主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分,以提高
    的头像 发表于 12-23 16:56 ?487次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>修边处理后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>TTV变化管控

    碳化硅衬底,进化到12英寸!

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地,进入试产阶段。 ? 让
    的头像 发表于 11-21 00:01 ?4232次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>,进化到12英寸!