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意法半导体推出全新AI MEMS传感器LSM6DSV320X

意法半导体中国 ? 来源:意法半导体中国 ? 2025-05-26 09:55 ? 次阅读
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业内首款嵌入AI的双MEMS加速度计惯性测量单元(IMU),测量准确,320g满量程

意法半导体(简称ST)日前宣布了一款在一个节省空间的封装内集成运动跟踪传感器和高重力冲击测量传感器的惯性测量单元,装备该测量单元的设备可以非常准确地重构完整事件,提供更多的功能和出色的用户体验。随着新模块上市,市场期待移动设备、可穿戴设备、消费医疗产品以及智能家居智能工业和智能驾驶设备出现强大的新功能。

新传感器LSM6DSV320X是业界首款在常规尺寸模块(3mm x 2.5mm)内集成AI处理功能并能够连续记录运动和冲击数据的传感器。依托意法半导体在微机电系统(MEMS)设计方面的持续投入,这款创新的双加速度计传感器具有很高的运动跟踪和冲击测量准确度,运动跟踪量程高达16g,冲击量程高达320g。

意法半导体APMS产品部副总裁兼MEMS子产品部总经理Simone Ferri表示:“我们的尖端AI MEMS传感器释放的潜能越来越多,可提升当今市场领先的智能应用的性能和能效。新惯性模块具备独特的双传感器架构,能够让设备和应用实现更智能的交互体验,并为智能手机、可穿戴设备、智能标签、资产监控器、事件数据记录器以及更大规模的基础设施等设备和应用带来更高的灵活性和准确度。”

LSM6DSV320X的上市进一步扩大了意法半导体内置机器学习核心(MLC)的传感器产品家族,嵌入式AI处理器可直接在传感器内处理推理算法,从而降低系统功耗,并提升应用性能。新产品内置的两个加速度计采用意法半导体独有的先进技术,可以同时存在一个模块内,实现优异的测量性能。其中一个加速度计专门用于跟踪运动,具有非常高的分辨率,最大量程为±16g;另一个加速度计可测量高达±320g的冲击力,量化碰撞或高强度冲击事件等剧烈冲击。

意法半导体新推出的AI MEMS传感器体积小,功能多,量程宽,准确度高,让消费电子物联网产品具有更多的功能,同时保持时尚的外观或可穿戴特质。活动追踪器可以在标称量程内监测训练成绩,还能测量高强度冲击力,确保身体接触性运动的安全,为消费者和职业/半职业运动员创造价值。在消费电子市场上,游戏控制器利用这个传感器可以检测快速运动和冲击,提升用户体验。智能标签可以粘贴在物品上,记录运动、振动和冲击,确保物品安全和完整无损。

意法半导体传感器的宽加速度量程还将为新一代智能消费医疗保健、工业安全等设备的升级进化赋能。个人劳保防护设备就是其中的一种潜在应用,在危险环境中保护工人作业安全,评估坠落或撞击的严重程度。其他用途还包括准确评估建筑物、桥梁等结构健康状况。

该传感器的高集成度简化了产品设计和制造过程,让先进的监视器能够以具有竞争力的价格进入目标市场。设计师可以打造纤薄轻巧的外观设计,方便佩戴或安装到设备上。

产品介绍

LSM6DSV320X传感器在一个2.5mm x 3mm封装内集成三个微机电系统(MEMS)传感器,其中包括一个±16g的加速度计、一个±320g的加速度计和一个±4000dps的MEMS陀螺仪。这三个传感器完全同步工作,使模块易于使用,并有助于简化应用开发。 除了高能效处理情境感知任务的MLC机器学习核心外,LSM6DSV320X还集成了有限状态机(FSM),能够在模块内执行运动跟踪功能。数字电路还采用了意法半导体的低功耗传感器融合(SFLP)空间定位技术。

像意法半导体的其他智能MEMS传感器一样,LSM6DSV320X也具有优化功耗的自适应自配置(ASC)功能。在检测到特定运动模式或MLC的信号时,具有ASC功能的传感器可以自动实时调整设置,无需主处理器干预。

为了方便追踪高强度撞击,同时最大限度地改进低重力事件的测量准确度,意法半导体还为开发者提供整合低重力加速度计和高重力加速度计输出数据的Motion XLF专利软件库。通过X-CUBE-MEMS1软件套件,客户工程团队可以在设计中自由使用该软件库。意法半导体还提供免费的图形设计工具,帮助开发者评估、配置和测试LSM6DSV320X传感器和嵌入式AI核心,并将设计项目连接到STM32应用。这些工具包括ST Edge AI Suite的MEMS Studio软件和基于Web的开发环境ST AIoT Craft,该开发环境提供用于开发和配置节点到云端AIoT(人工智能物联网)项目的工具。LSM6DSV320X现已出现在ST Edge AI Suite的支持设备名单内,并将于2025年底添加到ST AIoT Craft支持的设备名单内。

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原文标题:ST微型AI传感器集成运动跟踪和高强度冲击测量功能,面向个人电子和物联网应用

文章出处:【微信号:STMChina,微信公众号:意法半导体中国】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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