TPS7H6005-SEP 耐辐射 200V 半桥 GaN 栅极驱动器数据手册-电子发烧友网

TPS7H60x5 系列抗辐射保证（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括 TPS7H6005（200V 额定值）、TPS7H6015（60V 额定值）和 TPS7H6025（22V 额定值）。这些器件均采用 56 引脚 HTSSOP 塑料封装，提供 QMLP 和航天增强型塑料（SEP）等级。驱动器具有可调死区时间能力、30ns 的小传播延迟以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，它们都能确保 5V 的驱动电压。TPS7H60x5 驱动器均具有分离栅极输出，可灵活地独立调整输出的导通和关断强度。
*附件：tps7h6005-sep.pdf

TPS7H60x5 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式（IIM）和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入控制。在 PWM 模式下，单个输入产生两个互补输出信号，用户可以调整每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还在独立输入模式下提供用户可配置的输入互锁，作为防击穿保护。当两个输入同时打开时，输入互锁不允许两个输出打开。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，这允许驱动器在许多不同的转换器配置中使用。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

特性

辐射性能：
- 抗辐射强度（RHA）高达 100krad（Si）的总电离剂量（TID）
- 单粒子瞬态（SET）、单粒子倦怠（SEB）和单粒子栅极破裂（SEGR）不受线性能量转移（LET）的影响 = 75MeV-cm2/mg
- 单粒子瞬态（SET）和单粒子功能中断（SEFI）的特性高达 LET = 75MeV-cm2/mg
1.3A 峰值拉电流，2.5A 峰值灌电流
两种作模式：
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 两个独立的输入
独立输入模式下的可选输入互锁保护
用于可调开启和关闭时间的分离输出
独立输入模式下 30ns 的典型传播延迟
5.5ns 典型延迟匹配
根据 ASTM E595 进行塑料包装脱气测试
适用于军用温度范围（–55°C 至 125°C）

参数

方框图

一、产品概述

?产品名称?：TPSH-SEP
?类型?：辐射硬度保证（RHA）半桥GaN FET栅极驱动器
?应用?：空间卫星电源、电机驱动、反应轮、通信有效载荷、光学成像有效载荷、卫星电气电力系统

二、主要特性

?辐射性能?：
- 辐射硬度保证（RHA）至总剂量（TID）krad(Si)
- 单事件瞬态（SET）、单事件烧毁（SEB）、单事件栅极击穿（SEGR）免疫至线性能量转移（LET）=MeV-cm?/mg
- SET和单事件功能中断（SEFI）特征至LET=MeV-cm?/mg
?驱动能力?：
- 峰值源电流：.A
- 峰值沉电流：.A
?工作模式?：
- 单PWM输入，可调死区时间
- 两个独立输入
?其他特性?：
- 可选输入互锁保护（独立输入模式）
- 分裂输出，用于调整开通和关断时间
- 典型传播延迟：ns（独立输入模式）
- 延迟匹配：.ns（高侧和低侧）
- 塑料封装经过ASTM E排气测试
- 工作温度范围：-°C至°C

三、电气特性

?绝对最大额定值?：
- VIN至AGND：-.V至V
- BOOT至SW：SW+V
- 其他引脚电压限制详见文档
?推荐工作条件?：
- VIN：V至V
- 工作结温：-°C至°C
?电气参数?：
- 低侧和高侧静态电流：典型值为数毫安
- 输出高低电平电压：符合GaN FET驱动要求
- 峰值源/沉电流：.A/.A（典型）
- UVLO（欠压锁定）阈值：多个电压监控点，具有迟滞