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UCC57102Z-Q1 低侧 3A/3A 驱动器,具有去饱和保护和 12V 欠压锁定数据手册

科技绿洲 ? 2025-05-15 13:34 ? 次阅读
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UCC57102Z-Q1 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器,适用于高功率汽车应用,如 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统。它提供保护功能,包括欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT)、故障报告和热关断保护。UCC57102Z-Q1 的典型峰值驱动强度为 3A,其输入可以处理 –5V,这提高了具有中等接地反弹的系统的稳健性。输入与电源电压无关,可以连接到大多数控制器输出,以实现最大的控制灵活性。UCC57102Z-Q1 中提供的偏置电源的宽电压范围可适应双极电压。UCC57102Z-Q1 还提供精确的 5V 输出 LDO
*附件:ucc57102z-q1.pdf

特性

  • 适用于汽车应用
  • 符合 AEC-Q100 标准
    • 设备温度等级 1
  • 典型的 3A 灌电流 3A 拉电流输出电流
  • 具有可编程延迟的 DESAT 保护
  • 发生故障时软关断
  • 绝对最大 VDD 电压:30V
  • 输入和使能引脚能够承受高达 –5V 的电压
  • 严格的 UVLO 阈值,可实现偏置灵活性
  • 典型 26ns 传播延迟
  • 具有热关断功能的自我保护驱动器
  • 宽偏置电压范围
  • 采用 5mm × 4mm SOIC-8 封装
  • 工作结温范围为 –40°C 至 150°C

参数
image.png

方框图
image.png

一、产品概述

  • ?产品名称?:UCCZ-Q
  • ?类型?:高速低侧栅极驱动器,具有DESAT保护功能,专为汽车应用设计
  • ?目标器件?:驱动MOSFET、SiC MOSFET和IGBT功率开关

二、主要特性

  • ?驱动能力?:典型峰值源电流和沉电流均为A
  • ?DESAT保护?:具有可编程延迟的DESAT保护功能,检测到故障时实现软关断
  • ?热关断功能?:具备自保护功能,包括热关断
  • ?输入与使能引脚?:可承受高达-V的电压,UVLO(欠压锁定)阈值紧密
  • ?传播延迟?:典型传播延迟为ns
  • ?宽偏置电压范围?:偏置电压范围宽,适用于多种应用
  • ?封装?:mm × mm SOIC-封装
  • ?温度范围?:结温范围为-°C至°C

三、电气特性

  • ?绝对最大额定值?:
    • VDD电压:V
    • 输入和使能引脚电压:高达-V
    • 输出信号电压:GND/VEE至VDD+.V
  • ?ESD等级?:
    • HBM(人体模型):±V
    • CDM(充电器件模型):±V
  • ?推荐工作条件?:
    • VDD电源:.V至V
    • VEE电源:-V至V
    • 结温:-°C至°C

四、保护功能

  • ? UVLO(欠压锁定) ?:具有紧密的UVLO阈值,提供偏置灵活性
  • ?DESAT保护?:快速的过流和短路保护功能,防止功率半导体器件在故障期间损坏
  • ?热关断?:当内部温度超过阈值时,自动关断以保护驱动器

五、其他功能

  • ?FLT(故障)引脚?:用于向DSP/MCU报告故障信号
  • ?VREF输出?:集成V参考输出,可源出高达mA的电流
  • ?可编程软关断?:通过内部软关断下拉电阻实现

六、应用

  • ?主要应用?:

七、封装与尺寸

  • ?封装类型?:SOIC-
  • ?尺寸?:.mm × .mm(封装尺寸),.mm × .mm(体尺寸,含引脚)

八、文档与支持

  • ?文档支持?:提供了相关文档和支持资源的链接
  • ?修订历史?:列出了文档的修订日期和修订内容
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