TPS22930 是一个小而低的 R上带受控开启的负载开关。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。TPS22930 为 active high enable。
*附件:tps22930a.pdf
TPS22930 器件通过在反向电压(也称为反向电流)情况下禁用体二极管来提供断路器功能。反向电流保护仅在电源开关禁用 (关闭) 时有效。当输出电压 (V 外 ) 被驱动得高于输入 (V 在 ) 以阻止电流流向开关的输入侧。此外,如果输入电压过低,欠压锁定 (UVLO) 保护会关闭开关。
该器件的转换速率在内部进行控制,以避免浪涌电流。
该 TPS22930 采用超小型、节省空间的 4 引脚 CSP 封装,可在 –40°C 至 85°C 的自然空气温度范围内工作。
特性
- 集成单通道负载开关
- 超小型四端子晶圆芯片级封装(所示标称尺寸详见附录)
- 0.9 mm × 0.9 mm,0.5 mm 间距,0.5 mm 高 (YZV)
- 输入电压范围:1.4 V 至 5.5 V
- 超低 R
上电阻- R
上V 时 = 35 mΩ在= 5 伏 - R
上V 时 = 36 mΩ在= 3.6 伏 - R
上V 时 = 49 mΩ在= 1.8 伏
- R
- 最大连续开关电流为 2A
- 低静态电流 (< 3 μA)
- 低控制输入阈值支持使用 1.2V/1.8V/2.5V/3.3V 逻辑
- 受控转换速率
- 欠压锁定
- 禁用时提供反向电流保护
参数
方框图
1. 概述
TPS22930A 是一款超小型、低导通电阻的负载开关,采用单通道设计,封装尺寸为 0.9 mm × 0.9 mm,高度为 0.5 mm。该器件适用于智能手机、便携式工业/医疗设备、便携式媒体播放器等多种应用场景。
2. 主要特点
- ?超小型封装?:0.9 mm × 0.9 mm,0.5 mm 间距,0.5 mm 高度。
- ?低导通电阻?:在 V_IN = 5V 时,R_ON = 35 m?;在 V_IN = 3.6V 时,R_ON = 36 m?;在 V_IN = 1.8V 时,R_ON = 49 m?。
- ?高开关电流?:最大连续开关电流为 2A。
- ?低静态电流?:小于 3 ?A。
- ?低控制输入阈值?:支持 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 逻辑电平。
- ?控制开通斜率?:避免开机时的浪涌电流。
- ? 欠压锁定(UVLO) ?:防止输入电压过低时开关导通。
- ?反向电流保护?:在开关关闭时,断开体二极管以防止反向电流。
3. 应用场景
4. 电气特性
- ?输入电压范围?:1.4V 至 5.5V。
- ?导通电阻?:随输入电压变化,典型值在 35 m? 至 62 m? 之间。
- ?静态电流?:在不同输入电压下,典型值为 1 ?A 至 10 ?A。
- ?开关时间?:开启时间典型值为 4.8 ?s 至 7.4 ?s,关闭时间典型值为 6.3 ?s 至 9.5 ?s。
5. 功能描述
- ?开关控制?:通过 ON 引脚控制开关状态,高电平使能。
- ? 欠压锁定(UVLO) ?:当输入电压低于 UVLO 阈值时,开关关闭。
- ?反向电流保护?:在开关关闭时,断开体二极管,防止 V_OUT 高于 V_IN 时的反向电流。
6. 封装与尺寸
- ?封装类型?:DSBGA(晶圆级芯片规模球栅阵列)。
- ?尺寸?:0.9 mm × 0.9 mm,0.5 mm 高度。
7. 布局与热设计
- ?布局建议?:输入和输出电容应尽可能靠近器件放置,以减小寄生电感的影响。
- ?热设计?:最大结温限制为 150°C,需根据应用条件计算最大允许功耗。
8. 支持资源
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