CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、单通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、栅极ESD保护数据手册

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以尽可能小的外形提供最低的导通电阻和栅极电荷，并在超薄外形中具有出色的热特性。低导通电阻、小尺寸和扁平外形使该器件成为电池供电空间受限应用的理想选择。
*附件：CSD22206W –8V P 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 超低电阻
• 小尺寸 1.5 mm × 1.5 mm
• 无铅
• 栅极 ESD 保护
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 栅极-源极电压箝位

参数

方框图

1. 产品特性

• ?超低电阻?：在V_GS = -4.5V时，导通电阻（R_DS(on)）仅为4.7 mΩ，适用于需要高效率的功率转换应用。
• ?小尺寸?：采用1.5 mm × 1.5 mm的Wafer BGA封装，占用空间小。
• ?无铅与环保?：符合RoHS标准，且不含卤素，环保友好。
• ?栅极保护?：内置栅极ESD保护和栅极-源极电压钳位功能，提高器件可靠性。
• ?优异热特性?：具有良好的热管理特性，适合高功率密度应用。

2. 应用领域

• ?负载开关?：适用于需要快速响应和低电阻路径的负载控制应用。
• ?电池管理?：在电池供电系统中，用于电池的充放电控制和保护。
• ?电池保护?：防止电池过充、过放，延长电池使用寿命。

3. 产品描述

CSD22206W是一款-8V、4.7 mΩ、1.5 mm × 1.5 mm Wafer BGA封装的NexFET?功率MOSFET。它专为提供超低导通电阻和栅极电荷而设计，同时保持小尺寸和低剖面，非常适合电池供电且空间受限的应用。

4. 电气特性

• ?静态特性?：包括漏源电压（V_DS）、栅源阈值电压（V_GS(th)）、漏源泄漏电流（I_DSS）等参数。
• ?动态特性?：涵盖输入电容（C_ISS）、输出电容（C_OSS）、栅极电荷（Q_g）等，影响开关速度和效率。
• ?二极管特性?：包括二极管正向电压（V_SD）和反向恢复电荷（Q_rr），对整流和续流应用至关重要。

5. 热信息

• ?热阻?：提供了结到环境的热阻（R_θJA）信息，帮助设计有效的散热系统。

6. 机械、包装和订购信息

• ?封装尺寸?：详细列出了CSD22206W的封装尺寸和引脚配置。
• ?推荐焊盘布局?：提供了推荐的焊盘图案，以确保良好的焊接连接。
• ?订购选项?：包括可订购的设备型号、封装类型、每卷数量及环保合规性等信息。

7. 文档和支持

• ?文档更新通知?：用户可通过TI官网注册接收产品文档的更新通知。
• ?社区资源?：提供了TI的E2E在线社区链接，方便用户与其他工程师交流和学习。
• ?商标和静电放电警告?：指出了NexFET?是TI的商标，并提醒用户注意静电放电保护。