概述
ADMV1010 是一款采用砷化镓 (GaAs) 设计的紧凑式微波单片集成电路 (MMIC) 单边带 (SSB) 降频器,它采用符合 RoHS 指令的封装,专门针对点对点微波无线电设计进行优化,工作频率范围为 12.6 GHz 至 15.4 GHz。
ADMV1010 的转换增益为15 dB,镜频抑制为 25 dB。ADMV1010 使用一个射频 (RF) 低噪声放大器 (LNA),其后是一个同相/正交 (I/Q) 双平衡混频器,由一个驱动放大器驱动本地振荡器 (LO)。提供 IF1 和 IF2 混频器输出,并需要使用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。ADMV1010 是混合式 SSB 降频器组件的替代方案,但外形小得多,它可以使用表面安装制造组件,从而消除了对引线键合的需要。
ADMV1010 降频器采用热法增强的紧凑式 4.9 mm × 4.9 mm 32 端子 LCC 封装。ADMV1010 的工作温度范围为 ?40°C 至 +85°C。
数据表:*附件:ADMV1010 12.6GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、I Q降频器技术手册.pdf
应用
特性
- RF 输入频率范围:12.6 GHz 至 15.4 GHz
- IF 输出频率范围:2.7 GHz 至 3.5 GHz
- LO 输入频率范围:9 GHz 至 12.6 GHz
- 电源转换增益:15 dB(典型值)
- 镜频抑制:25 dB(典型值)
- SSB 噪声指数:2 dB(典型值)
- 输入 IP3:1 dBm(典型值)
- 输入 P1dB:?7 dBm(典型值)
- 单端 50 Ω RF 和 LO 输入端口
- 带裸焊盘的 4.9 mm × 4.9 mm 32 端子 LCC
框图
引脚配置描述
典型性能特征
应用信息
评估板和典型应用电路针对低侧本振(LO)(上边带)性能进行了优化,采用 Mini - Circuit QCN - 45+ RF 90° 混合耦合器。由于这些 I/Q 混频器是双平衡混频器,ADMV1010 能够支持 3.5GHz 至 9GHz 的中频(IF)频率。
典型应用电路
典型应用电路如图 47 所示。此处展示的应用电路已在评估板电路中复现。
评估板
应用中所使用的电路板必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω的阻抗,封装接地引脚和外露焊盘应直接连接到接地层,与图48和图49中所示类似。使用足够数量的过孔连接电路板的顶层和底层接地层。图50中所示的评估电路板可根据需求从亚德诺半导体(Analog Devices)获取。
布局
将ADMV1010底面的外露焊盘焊接到具有低热阻和低电阻抗的接地平面上。此焊盘通常焊接到评估板上阻焊层的外露开口处。将这些接地过孔连接到评估板上的所有其他接地层,以实现器件封装的最大散热效果。图48展示了ADMV1010 - EVALZ的印刷电路板(PCB)焊盘图形,图49展示了ADMV1010 - EVALZ的钢网模板 。
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