概述
HMC717A是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器,非常适合固定无线和LTE/WiMAX/4G基站前端接收机,工作频率范围为4.8至6.0 GHz。 该放大器经过优化,采用+5V单电源时提供1.1 dB的噪声系数、16.5 dB的增益和+31.5 dBm的输出IP3。
提供出色的输入和输出回损性能,LNA仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC717A可在+3V与+5V之间进行偏置,提供外部可调电源电流,设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。
数据表:*附件:HMC717A低噪声放大器,采用SMT封装,4.8-6.0 GHz技术手册.pdf
应用
- 固定无线和LTE/WiMAX/4G
- BTS和基础设施
- 中继器和毫微微蜂窝
- 公共安全无线电
- 接入点
特性
- 噪声系数: 1.1 dB
- 增益: 16.5 dB
- 输出IP3: +31.5 dBm
- 单电源: +3V至+5V
- 16引脚3x3mm QFN封装: 9 mm?
框图
外形图
引脚描述
HMC717A是一款砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)、赝晶(pHEMT)、低噪声放大器。HMC717A放大器使用两个串联增益级,放大器的基本原理图如图3所示,构成一个低噪声放大器,工作频率范围为4.8 GHz至6 GHz,噪声系数性能出色。
HMC717A具有单端输入和输出端口,在4.8 GHz至6 GHz频率范围内,其阻抗标称值等于50欧姆。因此,它可以直接插入50欧姆系统,不需要阻抗匹配电路,这也意味着多个HMC717A放大器可以背对背级联,无需外部匹配电路。输入和输出阻抗相对于温度和电源电压的变化足够稳定,不需要阻抗匹配补偿。请注意,为确保稳定工作,必须为背面裸露焊盘提供极低电感的接地连接。为实现HMC717A的最佳性能并防止器件损坏,不得超过绝对最大额定值。
上图显示了操作HMC717A的基本连接。用1.2电容交流耦合输入。HMC717A的RF输出具有片内DC隔直电容,无需外部耦合电容。使用第6页的绝对偏置电阻范围和推荐偏置电阻值表中给出的适当Rbias电阻值。前面列出的偏置条件(VDD = 5V,Rbias = 825Q,VDD = 3 V,Rbias = 5.76kQ)是实现最佳性能的推荐工作点。本数据手册中使用的数据是在推荐的偏置条件下获得的。在不同偏置条件下使用HMC717A时,可能会产生与典型性能特性部分所示不同的性能。提高Vdd电平并将Rbias电阻更改为推荐值,通常可以提高增益、IP3和噪声系数,但会降低功耗。这种行为可以在典型的性能特征图上看到。
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