DRV7308 是一款三相智能电源模块 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增强型氮化镓 (GaN),用于驱动高达 450V 直流电源轨的三相 BLDC/PMSM 电机。这类应用包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制(六步)。该器件有助于为采用 QFN 12mm x 12mm 封装、在 20kHz 开关频率下运行的三相调制 FOC 驱动型 250W 电机驱动应用实现 99% 以上的效率,无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器,无需使用外部自举二极管。
*附件:TI DRV7308 具有保护和电流检测功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM).pdf
TI DRV7308特性:
- 具有集成 650V 增强模式 GaNFET 的三相 PWM 电机驱动器
- 高达 450V 的工作电压
- 650V 绝对最大电压
- 高输出电流能力:5A 峰值电流
- 低导通损耗:每个 GaN FET 具有低导通状态电阻:TA = 25°C 时为 205mΩ RDS(ON)
- 低开关损耗:零反向恢复、低输出电容、压摆率控制
- 低失真:< 135ns 的超低传播延迟,< 200ns 的超低自适应死区时间
- 具有相位节点电压压摆率控制功能的集成式栅极驱动器
- 5V/ns 至 40V/ns 压摆率选项
- 通过集成式快速自举 GaN 整流器实现 500ns 最低低侧导通时间支持
- 低侧 GaN FET 开源引脚,支持 1、2 或 3 分流器电流检测
- 支持高达 60kHz 硬开关
- 集成 11MHz、15V/?s 放大器,用于单分流器电流检测
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 集成 BRAKE 功能,可一起导通所有低侧 GaN FET
- 集成温度传感器
- OUTx 和 OUTx、VM 和 OUTx 以及 OUTx 和 PGND 之间的间隙大于 1.6mm。
- VM 和 PGND 之间的间隙为 2mm
- 集成保护特性
- GVDD 和自举欠压锁定
- 每个 GaN FET 的过流保护
- 过热保护
- PWM 输入死区时间
- 对全部三个相位使用集成比较器实现电流限制保护
- 故障条件指示引脚 (HV_nFAULT)
TI DRV7308参数:
TI DRV7308方框图:
应用
? 冰箱和冷冻柜
? 电器、HVAC 泵和风扇
? 洗碗机
? 小型家用电器
? 家用空调
? 油烟机
? 无刷直流电机模块
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