0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

纳芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

纳芯微电子快讯 ? 来源:网络整理 ? 作者:汤梓红 ? 2024-05-13 15:27 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

纳芯微近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A系列,该系列产品的RDSon值低至60mΩ,展现了出色的性能。这款MOSFET提供了两种封装形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面贴装的TO-263-7L,以满足不同应用场景的需求。

纳芯微的碳化硅MOSFET以其卓越的RDSon温度稳定性和更宽的门极驱动电压覆盖度而著称,同时还具备高可靠性,使其在各种应用中都能表现出色。这款新品特别适用于电动汽车的OBC/DCDC系统、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。

NPC060N120A系列的推出,不仅彰显了纳芯微在半导体技术领域的创新实力,也为相关行业提供了更加高效、可靠的解决方案。随着电动汽车和可再生能源市场的快速发展,纳芯微的这一新品有望在未来发挥重要作用。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    8825

    浏览量

    222462
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3285

    浏览量

    66161
  • 纳芯微
    +关注

    关注

    2

    文章

    336

    浏览量

    15296
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    加速落地主驱逆变器,三安光电1200V 13mΩ SiC MOSFET完成验证

    ? 电子发烧友网综合报道 近日,三安光电在投资者平台上表示,其主驱逆变器用SiC MOSFET1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已
    的头像 发表于 08-10 03:18 ?5941次阅读

    电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用

    近期,中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品,凭借
    的头像 发表于 07-16 14:08 ?459次阅读
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>电子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量产交付应用

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析

    从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析
    的头像 发表于 06-19 17:02 ?347次阅读
    基本股份B3M013C<b class='flag-5'>120</b>Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的产品力分析

    闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

    ,闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET,为电动汽车行业注入强劲新动能。
    的头像 发表于 05-14 17:55 ?689次阅读

    半导体推出采用HV-T2Pak封装的全新碳化硅MOSFET

    半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准,以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。最新一代650
    的头像 发表于 05-14 15:39 ?748次阅读

    Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半导体)正式推出系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MO
    的头像 发表于 03-21 10:11 ?861次阅读

    科技推出1200V40A GEN3 IGBT单管

    科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT单管,产品型号为YGK40N120TMA1。
    的头像 发表于 03-11 16:17 ?615次阅读
    陆<b class='flag-5'>芯</b>科技<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V40A</b> GEN3 IGBT单管

    达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 全系列型号

    深圳市三佛科技有限公司介绍达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 提供样品,技术支持。 国产IBGT+FRD单管: XD005G120AY1G3应用:充电抢5A 1200V TO-
    发表于 12-19 15:03

    推出智能隔离栅极驱动器NSI67X0系列

    正式推出具有隔离模拟采样功能的智能隔离驱动 NSI67X0 系列,该系列适用于驱动
    的头像 发表于 12-09 14:02 ?1090次阅读
    <b class='flag-5'>纳</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>推出</b>智能隔离栅极驱动器NSI67X0<b class='flag-5'>系列</b>

    森国科推出全新1200V/25A IGBT

    森国科推出1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时
    的头像 发表于 12-04 16:16 ?846次阅读
    森国科<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b>/25<b class='flag-5'>A</b> IGBT

    三菱电机1200VSiC MOSFET技术解析

    1200VSiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件,广泛应用于工业、汽车等领域。目前,1200V
    的头像 发表于 12-04 10:50 ?2042次阅读
    三菱电机<b class='flag-5'>1200V</b>级<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技术解析

    电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET

    为了满足高密度的功率变换的需求,瞻电子推出2新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(
    的头像 发表于 11-27 14:58 ?1125次阅读
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>电子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC3Pak封装的<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    东芝推出全新1200V SiC MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,最新开发出一用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiCMOSFET
    的头像 发表于 11-21 18:10 ?1083次阅读
    东芝<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    发布首1200V SiC MOSFET,为高效、可靠能源变换再添助力!

    推出1200VSiC
    的头像 发表于 10-29 13:54 ?817次阅读
    <b class='flag-5'>纳</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b>发布首<b class='flag-5'>款</b><b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,为高效、可靠能源变换再添助力!

    推出全新CSP封装MOSFET产品

    近日,正式推出了CSP封装12V共漏极双N沟道MOSF
    的头像 发表于 10-17 15:59 ?1054次阅读